[发明专利]转换光信号的方法、红外探测器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710119651.2 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101110469A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 陈志坚;郑远;陆稼书;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 转换 信号 方法 红外探测器 及其 制备
【权利要求书】:

1.一种转换光信号的方法,其步骤包括:

1)在有机发光二极管OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层中掺入光敏剂,形成电荷载流子陷阱,且所述光敏剂与OLED器件的入射光的波长相匹配;

2)当入射光照射到OLED器件上时,所述载流子吸收光子能量发生跃迁,复合形成激子数目增加,入射光信号转换为OLED器件本身的发光信号。

2.如权利要求1所述的转换光信号的方法,其特征在于:如入射光为红外光时,所述光敏剂为有机红外光敏剂。

3.如权利要求1或2所述的转换光信号的方法,其特征在于:所述OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层为OLED器件的空穴传输层时,在OLED器件的空穴传输层中掺入带有电子受体的光敏剂。

4.如权利要求1或2所述的转换光信号的方法,其特征在于:所述OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层为OLED器件的电子传输层时,在OLED器件的电子传输层中掺入带有电子给体的光敏剂。

5.一种基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:包括一有机发光二极管OLED器件,在该OLED器件的空穴传输层和/或电子传输层中掺杂红外光敏剂。

6.如权利要求5所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述空穴传输层的材料为聚乙烯咔唑、聚甲基苯基硅烷、N,N′-二苯基-N,N′-双3-甲基苯基-1,1′-联苯-4,4′-二胺或聚对苯乙炔。

7.如权利要求5所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述电子传输层材料为8-羟基喹啉铝、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉或8-羟基喹啉锌。

8.如权利要求5、6或7所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述红外光敏剂为2-[2-{5-[4-(二丁氨基)苯基]-2,4-二烯戊亚基}-1,1-二氧带-1-苯并噻吩-3(二氢)-亚基]丙二晴、C60、(2,4,7-三硝基-9-亚芴基)丙二腈或三硝基芴酮。

9.一种基于OLED器件的红外探测器的制备方法,包括以下步骤:

1)配制掺杂红外光敏剂的空穴传输层和/或电子传输层材料;

2)在ITO玻璃上旋涂制备空穴传输层;

3)在空穴传输层上真空蒸镀发光和电子传输层;

4)在电子传输层上设置电极。

10.如权利要求9所述的基于OLED器件的红外探测器的制备方法,其特征在于:所述的步骤1)中,红外光敏剂与空穴传输层或电子传输层材料的质量比为0.1-10∶90-99.9。

11.如权利要求9或10所述的基于OLED器件的红外探测器的制备方法,其特征在于:空穴传输层或电子传输层的厚度范围分别为10nm-100nm。

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