[发明专利]转换光信号的方法、红外探测器及其制备方法无效
申请号: | 200710119651.2 | 申请日: | 2007-07-27 |
公开(公告)号: | CN101110469A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 陈志坚;郑远;陆稼书;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转换 信号 方法 红外探测器 及其 制备 | ||
1.一种转换光信号的方法,其步骤包括:
1)在有机发光二极管OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层中掺入光敏剂,形成电荷载流子陷阱,且所述光敏剂与OLED器件的入射光的波长相匹配;
2)当入射光照射到OLED器件上时,所述载流子吸收光子能量发生跃迁,复合形成激子数目增加,入射光信号转换为OLED器件本身的发光信号。
2.如权利要求1所述的转换光信号的方法,其特征在于:如入射光为红外光时,所述光敏剂为有机红外光敏剂。
3.如权利要求1或2所述的转换光信号的方法,其特征在于:所述OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层为OLED器件的空穴传输层时,在OLED器件的空穴传输层中掺入带有电子受体的光敏剂。
4.如权利要求1或2所述的转换光信号的方法,其特征在于:所述OLED器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层为OLED器件的电子传输层时,在OLED器件的电子传输层中掺入带有电子给体的光敏剂。
5.一种基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:包括一有机发光二极管OLED器件,在该OLED器件的空穴传输层和/或电子传输层中掺杂红外光敏剂。
6.如权利要求5所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述空穴传输层的材料为聚乙烯咔唑、聚甲基苯基硅烷、N,N′-二苯基-N,N′-双3-甲基苯基-1,1′-联苯-4,4′-二胺或聚对苯乙炔。
7.如权利要求5所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述电子传输层材料为8-羟基喹啉铝、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉或8-羟基喹啉锌。
8.如权利要求5、6或7所述的基于OLED器件的红外探测器,其特征在于:所述红外光敏剂为2-[2-{5-[4-(二丁氨基)苯基]-2,4-二烯戊亚基}-1,1-二氧带-1-苯并噻吩-3(二氢)-亚基]丙二晴、C60、(2,4,7-三硝基-9-亚芴基)丙二腈或三硝基芴酮。
9.一种基于OLED器件的红外探测器的制备方法,包括以下步骤:
1)配制掺杂红外光敏剂的空穴传输层和/或电子传输层材料;
2)在ITO玻璃上旋涂制备空穴传输层;
3)在空穴传输层上真空蒸镀发光和电子传输层;
4)在电子传输层上设置电极。
10.如权利要求9所述的基于OLED器件的红外探测器的制备方法,其特征在于:所述的步骤1)中,红外光敏剂与空穴传输层或电子传输层材料的质量比为0.1-10∶90-99.9。
11.如权利要求9或10所述的基于OLED器件的红外探测器的制备方法,其特征在于:空穴传输层或电子传输层的厚度范围分别为10nm-100nm。
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