[发明专利]一种氮化物发光材料及其制备方法无效
申请号: | 200710119774.6 | 申请日: | 2007-07-31 |
公开(公告)号: | CN101113332A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 刘泉林;魏小丹;蔡丽艳 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化物 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化物发光材料,其特征在于:化学通式为Ln1-xMxy+Si3N5-3x+xyO3x-xy,其中,Ln为La或Y,M为Ce或Eu,y=3或2,0<X<1。
2.按权利要求1所述的氮化物发光材料,其特征在于:激发波长位于350~510nm之间,发射波长位于400~600nm之间;具体波长位置与参数X,即发光中心的百分含量,的选择有关。
3.一种制备权利1所述的氮化物发光材料的方法,其特征在于:当发光中心M为Ce,y=3时,工艺为:
(1)将摩尔比例为5∶3,5∶4,1∶1,2∶3,3∶5或1∶2的Ln和Si置于电弧炉中,在直流电流为70A~120A时进行熔炼,制得的合金LnaSib随后充分研磨成粉体,其中,a与b为合金LnaSib中元素Ln与Si的计量值。
(2)将摩尔比例为5∶3,3∶2,5∶4,1∶1,3∶5或1∶2的Ce和Si置于电弧炉中,在直流电流为70A~120A时进行熔炼,制得的合金CecSid随后充分研磨成粉体,其中,c与d为合金CecSid中元素Ce与Si的计量值。
(3)根据通式Ln1-xMxy+Si3N5-3x+xyO3x-xy,将LnaSib、CecSid和Si3N4按照摩尔比例
4.按权利3所述的氮化物发光材料制备方法,其特征在于:原料Ln,Si,Ce,与纳米SiaN4粉体,纯度不低于99.5%。
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