[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极扫描线，形成在所述基板之上；

一栅极绝缘层，形成在所述栅极扫描线和基板之上；

一数据扫描线，形成在所述栅极绝缘层之上；

一钝化层，形成在所述栅极绝缘层或数据扫描线之上；

其中，所述栅极扫描线或/和数据扫描线在所述基板的切割区域断开；所述栅极扫描线断开位置的两端上的钝化层和栅极绝缘层上形成有过孔或沟槽，一像素电极材料引线通过该过孔或沟槽将所述断开的栅极扫描线连接起来；所述数据扫描线断开位置的两端上的钝化层上形成有过孔或沟槽，一像素电极材料引线通过该过孔或沟槽将所述断开的数据扫描线连接起来。

2.根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述栅极扫描线或数据扫描线为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层结构。

3.根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述栅极绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。

4.根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述钝化层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。

5.根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述像素电极材料引线的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。

6.一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成栅极扫描线，其中形成的栅极扫描线在基板切割区域断开；

步骤2，在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述栅极扫描线上形成栅极绝缘层；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成数据扫描线；

步骤4，在完成步骤2的基板上沉积钝化层薄膜，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，形成钝化层，并在所述断开的栅极扫描线两端上的钝化层和栅极绝缘层形成有过孔或沟槽；

步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成像素电极，并形成像素电极材料引线，使其通过所述步骤4中形成的过孔和沟槽将所述断开栅极扫描线连接起来。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述步骤3中形成的数据扫描线在基板切割区域断开；所述步骤4中形成钝化层时同时在断开的数据扫描线两端上钝化层上形成过孔或沟槽，并在所述步骤5中形成像素电极的同时，形成像素电极材料引线，使其通过所述数据扫描线两端过孔和沟槽将所述断开数据扫描线连接起来。

8.一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成栅极扫描线；

步骤2，在完成步骤1的基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述栅极扫描线上形成栅极绝缘层；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成数据扫描线，其中形成的数据扫描线在基板切割区域断开；

步骤4，在完成步骤2的基板上沉积钝化层薄膜，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，形成钝化层，并在所述断开的数据扫描线两端上的钝化层上形成有过孔或沟槽；

步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成像素电极，并形成像素电极材料引线，使其通过所述步骤4中形成的过孔和沟槽将所述断开数据扫描线连接起来的。