[发明专利]电致发光显示器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电致发光显示技术，特别是一种电致发光显示器件及其制造方法。

背景技术

电致发光显示器件为了在平板显示器领域具有的竞争力，也向大容量、高分辨率、低耗电量和大型化方向发展。由于无源矩阵驱动方式存在交叉串扰、占空比等方面的缺点，不易获得高品质的显示图象，无法满足迅速发展的信息时代对显示终端的需要，有源矩阵驱动方式已经被广泛地应用于各种显示领域。当前，有源矩阵驱动电致发光显示器件的结构主要分为底部发光(Bottom Emission)结构和顶部发光(Top Emission)结构。

图7为现有技术底部发光结构电致发光显示器件的示意图，其主要制作流程为：

步骤A1.在基板10上制作像素驱动结构1，像素驱动结构1主要由场效应管组成；

步骤A2.在像素驱动结构1上制作透明像素电极2，透明像素电极2和像素驱动结构1的过孔相连，作为电致发光器件的一个电极；

步骤A3.制作电致发光器件的功能层3，其中功能层3两侧为像素之间的隔离柱4；

步骤A4.制作电致发光器件的金属阴极5，该金属电极5是电致发光器件的公共电极；

步骤A5.涂敷封装胶，进行封装。

图8为现有技术顶部发光结构电致发光显示器件的示意图，其主要制作流程为：

步骤B1.在基板10上制作像素驱动结构1，像素驱动结构1主要由场效应管组成；

步骤B2.在像素驱动结构1上制作电致发光器件的阳极或阴极6，该阳极或阴极作为电致发光器件的一个电极；

步骤B3.制作电致发光器件的功能层3，该功能层3的制作顺序根据工艺的要求有所不同，功能层3两侧为像素之间的隔离柱4；

步骤B4.制作电致发光器件的透明公共电极7；

步骤B5.涂敷封装胶，进行封装。

有源矩阵驱动电致发光显示器件与有源矩阵驱动液晶显示器件不同的地方在于，有源矩阵驱动电致发光显示器件属于自发光器件，而且为了实现驱动的稳定，单元像素采用了多个场效应管驱动，同时为了提高显示的稳定，单元像素实现驱动的场效应管的数量越来越多。目前随着单元像素场效应管数量的增加，直接导致电致发光显示器件的开口率下降。

现有技术解决开口率下降的方法包括提高单元像素设计要求、采用迁移率更高的场效应管或采用顶部发光电致发光器件。其中，提高单元像素设计要求方法就是有效地设计单元像素的布局，减小场效应管和存贮电容所占的面积，增加有效显示面积。但由于受空间的限制，这种方法对于开口率的提高效果不明显。采用迁移率更高的场效应管方法是当前很多公司的研究重点，通过提高场效应管和薄膜晶体管的迁移率，进而减小场效应管所占的面积，增加有效显示面积。但场效应管迁移率的提高一直受到显示器基板温度的限制，这种方法尚不能立即见效。采用顶部发光的电致发光器件方法是利用电致发光是自发光器件的原理，采用顶部发光。但这种方法存在透明电极的制作工艺会影响有机功能层的缺点，因此影响了电致发光器件的发光效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种电致发光显示器件及其制造方法，在保证电致发光器件效率的前提下，最大限度地提高电致发光器件的开口率，提高显示效果。

本发明的第一方面提供了一种电致发光显示器件，包括像素驱动结构和电致发光结构，所述像素驱动结构设置在刚性的第一基板上，所述电致发光结构设置在柔性的第二基板上，所述电致发光结构和像素驱动结构通过转移层压接在一起。

所述像素驱动结构包括依次形成在所述第一基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极及其沟道和钝化层及其过孔。

所述电致发光结构包括依次形成在所述第二基板上的透明导电阳极、有机功能层和金属阴极。进一步地，所述透明导电阳极为用反应溅射工艺制作的氧化铟锡导电膜，所述有机功能层包括红色、绿色和蓝色器件，所述金属阴极为用蒸发工艺制作的MgAg合金或金属Ca/Al。

在本发明第一方面上述技术方案基础上，所述转移层为掺杂导电粒子的具有粘性的树脂层或导电聚合物材料层。所述第一基板为玻璃材料基板，所述第二基板为能弯曲的有机材料基板。

本发明的第二方面提供了一种电致发光显示器件的制造方法，包括：

在刚性的第一基板上形成像素驱动结构；

在柔性的第二基板上形成电致发光结构；

利用压接工艺和连接工艺将所述电致发光结构和像素驱动结构连接成电致发光显示器件。

其中，所述在刚性的第一基板上形成像素驱动结构具体为：