[发明专利]反应腔室

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种半导体加工设备的反应腔室。

背景技术

在半导体加工工艺中，尤其在深亚微米多晶硅等离子体干法刻蚀工艺中，反应腔室进气的方式对设备本身的工艺性能及工艺刻蚀结果的影响很大。目前，反应腔室的进气方式主要有：腔室底部进气方式和腔室上部进气方式。

现有技术一，如图1所示，为腔室上部进气方式，在上盖上增加一个进气嘴，通过进气嘴向反应腔室内供气。

上述现有技术一至少存在以下缺点：气流在反应腔室内分布不匀，工艺上会产生表现在刻蚀结果上的中间效应(晶片中间部分和周边部分刻蚀结果有差异)。

现有技术二，如图2所示，为在腔室下部进气方式，在静电卡盘的周围设有进气装置，通过进气装置向反应腔室内供气。

上述现有技术二至少存在以下缺点：气流在反应腔室内分布不均，工艺上对刻蚀结果会带来不良影响，影响刻蚀的均匀性。

发明内容

本发明的目的是提供一种气流在反应腔室内分布均匀的反应腔室。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的反应腔室，包括侧壁，所述的侧壁上设有进气通道。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的反应腔室，由于侧壁上设有进气通道，气流通过侧壁上的进气通道进入反应腔室，可使气流在反应腔室内分布均匀，减少由于气流分布不匀对工艺结果的影响。

附图说明

图1为现有技术一的反应腔室的结构示意图；

图2为现有技术二的反应腔室的结构示意图；

图3为本发明的反应腔室的结构示意图；

图4为本发明中的进气环的平面结构示意图；

图5为本发明中的进气环的立面结构示意图。

具体实施方式

本发明的反应腔室其较佳的具体实施例一如图3所示，包括侧壁1，侧壁1的上方设有上盖，所述的侧壁1的上部设有进气环2，进气环2上设有进气通道。

如图4、图5所示，进气环2上的进气通道包括供气孔4、匀气槽3和多个进气孔5，反应腔室的内腔经多个进气孔5、匀气槽3、供气孔4与外部供气管路相通，工艺气体可依次通过供气孔4、匀气槽3和多个进气孔5进入反应腔室的内部，进行加工工艺。

所述的匀气槽3环形布置在所述进气环2的内部，所述供气孔4设于进气环2的外侧并与匀气槽3相通，所述多个进气孔5均匀布置在进气环2的内侧并与匀气槽3相通，工艺气体经供气孔4进入匀气槽3，匀气槽3对工艺气体起到缓冲和均匀压力的作用，然后由多个进气孔5进入反应腔室的内腔，可使气流在反应腔室内分布均匀，减少由于气流分布不匀对工艺结果的影响。

所述的进气孔5可以有2-12个，可以是2、4、6、8、12个，也可以是其它需要的数量。

所述的匀气槽3的上面可以设计成开口面，便于加工，安装时，上盖压在匀气槽3的开口面上，起到密封作用。

进气环2可以用石英、金属、有机材料等制作，也可以用多种材料组合制作。

具体实施例二，侧壁1的上部不设进气环2，或其它的进气部件，进气通道(供气孔4、匀气槽3和多个进气孔5)直接设在侧壁1的上部，以简化结构。

本发明可以有效的改进进气方式，使气体在腔室中分布更加均匀，有效的提高了刻蚀后晶片表面图形的均匀一致性，优化机台刻蚀性能。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。