[发明专利]腔室内衬及反应腔室有效
| 申请号： | 200710120745.1 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101373702A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/67;C23C16/44;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内衬 反应 | ||
1.一种腔室内衬，其特征在于，包括外层内衬和里层内衬，外层内衬与里层内衬之间留有间隙，所述里层内衬上开有多个通孔，所述外层内衬上开有进气口，所述进气口通过所述多个通孔与所述里层内衬的内部相通；
所述里层内衬上开有排气口，所述排气口穿过所述外层内衬与外部相通。
2.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述的里层内衬包括侧面和底面。
3.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述的通孔的横向截面为圆形、椭圆形或多边形。
4.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述的通孔为直孔、台阶孔或锥孔。
5.根据权利要求1至4任一项所述的腔室内衬，其特征在于，所述的通孔的边缘设有倒角或圆角。
6.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述的通孔的直径小于等于6毫米。
7.一种反应腔室，包括侧壁、底壁，其特征在于，所述反应腔室的内部设有权利要求1至4任一项所述的腔室内衬，所述腔室内衬包括外层内衬和里层内衬，外层内衬与里层内衬之间留有间隙，所述里层内衬上开有多个通孔，所述外层内衬上开有与反应腔室外部相通的进气口，工艺气体通过进气口进入外层内衬与里层内衬之间的间隙，再由里层内衬上的多个通孔进入反应腔室内部；
所述里层内衬上开有与反应腔室外部相通的排气口。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述的底壁上设有保护层，所述外层内衬紧贴在反应腔室的侧壁上，并与所述保护层连接。
9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述的里层内衬与所述保护层连接。
10.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述的里层内衬包括侧面和底面，所述底面与所述保护层之间设有间隙。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
