[发明专利]一种微机电系统磁执行器的制作方法

权利要求书

1、一种微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，该方法包括：

A、在硅晶片下表面上淀积氮化硅薄膜，上表面上淀积氧化硅薄膜；

B、保护正面，背面光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口；

C、正面光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形；

D、正面光刻，打底胶，电子束蒸发Cr/Au，剥离形成金属线圈及电极；

E、正面光刻，打底胶，蒸发种子层，电镀金；

F、正面光刻，打底胶，去金去铬；

G、正面泛曝，显影，打底胶，保护正面，腐蚀背面体硅直到氧化硅层；

H、腐蚀氧化硅，释放执行器。

2、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤A中所述硅晶片为双表面抛光的晶向为(100)的n型硅片，所述淀积采用低压化学气相沉积LPCVD方法进行，所述氮化硅薄膜的厚度为1.5μm，氧化硅薄膜厚度为2.5μm。

3、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤B中所述保护正面采用光刻胶来保护正面，背面光刻采用等离子体干法进行，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口的尺寸为1100μm×950μm。

4、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤C中所述正面光刻采用光刻胶做掩蔽，并采用干法刻蚀氮化硅薄膜形成执行器图形。

5、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤D中所述电子束蒸发Cr的厚度为100，Au的厚度为4000，所述形成的金属线圈的宽度为10μm，线圈的间隔为5μm。

6、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤E中所述种子层为Cr/Au，其中Cr的厚度为100，Au的厚度为100，所述电镀Au的厚度为2.5μm。

7、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤F中所述去金去铬采用湿法进行。

8、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤G中所述保护正面采用crystalbond509胶来保护正面，所述腐蚀背面体硅采用在质量比为30％的KOH溶液中各向异性腐蚀。

9、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，步骤G中所述腐蚀氧化硅采用BOE溶液进行。

10、根据权利要求1所述的微机电系统磁执行器的制作方法，其特征在于，该微磁执行器尺寸为300μm×350μm，由位于一侧的2个悬臂梁支撑，悬臂梁尺寸为200μm×24μm，利用光刻胶作为绝缘材料，使上层的金属连线与下层金属线圈相连形成闭合回路。