[发明专利]一种电子束对准标记的制作方法有效
| 申请号： | 200710121502.X | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101383268A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;黄俊;郑英奎;刘果果;和致经;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 对准 标记 制作方法 | ||
1.一种电子束对准标记的制作方法，其特征在于，该方法包括：
A、对宽禁带半导体衬底材料进行第一次光刻，同时形成电子束对准标记图形和源漏极图形，并同时蒸发源漏电极金属和蒸发标记掩模金属；
B、对宽禁带半导体衬底材料进行光刻，在电子束对准标记图形周围形成尺寸为10μm×10μm的方形裸露区域，裸露区域以外被光刻胶覆盖；
C、对宽禁带半导体衬底材料表面进行等离子体刻蚀，刻蚀时采用金属Ti/Al/Ti/Au对电子束对准标记图形区域进行掩模，刻蚀深度大于3μm，同时采用光刻胶对裸露区域以外的部分进行掩模，在裸露区域内使电子束对准标记图形与周围形成高度差；
D、腐蚀电子束对准标记图形处的掩膜金属，去除第二次光刻的光刻胶，形成标准的电子束对准标记。
2.根据权利要求1所述的电子束对准标记的制作方法，其特征在于，步骤A中所述对衬底材料进行光刻采用普通光学光刻方法，所述蒸发的源漏极金属为Ti/Al/Ti/Au，金属Ti/Al/Ti/Au的厚度要求满足形成良好的欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的电子束对准标记的制作方法，其特征在于，步骤B中所述对衬底材料进行光刻采用普通光学光刻方法。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子束对准标记的制作方法，其特征在于，所述衬底材料为氮化镓基材料。
5.根据权利要求1所述的电子束对准标记的制作方法，其特征在于，步骤D中所述掩膜金属为Ti/Al/Ti/Au。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
