[发明专利]半导体加工工艺控制方法

权利要求书

1.一种半导体加工工艺控制方法，其特征在于，在半导体加工工艺中，根据加工速率与加工时间的乘积得到加工的厚度，当加工的厚度大于等于预定值时，停止该加工工艺；

所述的加工速率由以下方法得到：

首先，确定加工工艺中的工艺参数与加工速率的关系；

然后，检测加工工艺过程中的工艺参数，并根据所述的工艺参数及其与加工速率的关系确定加工速率；

所述的工艺参数与加工速率的关系通过试验得到；

所述检测加工过程中的工艺参数时，对整个工艺过程中的工艺参数进行实时的检测；

所述的工艺参数包括以下至少一个参数：

射频偏压、等离子体的电压、等离子体的电流、等离子体的阻抗。

2.根据权利要求1所述的半导体加工工艺控制方法，其特征在于，所述的加工工艺包括刻蚀工艺或沉积工艺。