[发明专利]半导体加工系统及其保护真空压力敏感元件的方法

权利要求书

1.一种半导体加工系统，包括真空系统，所述真空系统连接有大量程真空规和至少一个真空压力敏感元件，所述真空压力敏感元件与所述真空系统的连接处设有保护阀门，其特征在于，还包括压力信号处理单元，所述大量程真空规检测所述真空系统的压力信号，并将该信号输入给所述压力信号处理单元，所述压力信号处理单元对该信号进行处理，并根据处理的结果控制所述保护阀门的开关。

2.根据权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的压力信号处理单元包括信号处理电路、隔离电路，所述信号处理电路与所述大量程真空规电连接；所述隔离电路与所述保护阀门电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的信号处理电路包括参考信号输入端、压力信号输入端。

4.根据权利要求2所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的隔离电路包括常闭端、常开端、公共端，分别与所述保护阀门电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的真空压力敏感元件包括分子泵、小量程真空规。

6.根据权利要求5所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的分子泵的进口和出口分别设有保护阀门。

7.根据权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，所述的保护阀门为气动阀。

8.一种权利要求1至7所述的半导体加工系统中保护真空压力敏感元件的方法，其特征在于，根据半导体加工系统中的大量程真空规的压力信号控制真空压力敏感元件的保护阀门的开关，实现对真空压力敏感元件的保护。

9.根据权利要求8所述的保护真空压力敏感元件的方法，其特征在于，将所述大量程真空规的压力信号与预定的门限值进行比较，根据比较的结果控制所述保护阀门的打开或关闭。

10.根据权利要求8所述的保护真空压力敏感元件的方法，其特征在于，所述的真空压力敏感元件包括分子泵、小量程真空规。