[发明专利]一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法无效
| 申请号： | 200710122534.1 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399164A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张晓;郑安生;龙彪;夏海波 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/304;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12;B24B1/00;C09G1/18 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 砷化镓 晶片 双面 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：
(1)、晶片厚度监测、分组；
(2)、晶片初次清洗：晶片初次清洗时，将腐蚀液加热至30℃～60℃，而后将装有晶片的花篮放入腐蚀清洗10～60sec，腐蚀液由水、H2O2、NH4OH组成；
(3)、粘片：在抛光盘表面温度30℃～60℃时进行粘片；
(4)、正面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min，抛光液为：纯水：“2360型”抛光剂：次氯酸钠(容积比)＝(60-100)：(1-5)：(1-5)的配制成抛光液。
(5)、卸片、粘片及背面抛光：抛光设置抛光机压力值10-20psi，抛光液流量100-160ml/min，抛光时间均为30-90分钟。
(6)、晶片二次清洗：在浓度为10-30％、温度为50℃～100℃的清洗液中超声清洗20-40分钟，充分冲水，再在80-100℃热酸中腐蚀1-2分钟，冷碱中浸泡1-2分钟。
(7)检验包装。
2、根据权利要求1所述的一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：晶片初次清洗剂由纯水、H2O2、NH4OH以8：2：1的比例组成。
3、根据权利要求1所述的一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：厚度合格的以5um为分档线分组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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