[发明专利]初始电路、全桥切换电路以及半桥切换电路无效

专利信息
申请号: 200710122719.2 申请日: 2007-07-02
公开(公告)号: CN101340188A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 陈力辅;李智顺;陈嘉兴 申请(专利权)人: 硕颉科技股份有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 初始 电路 切换 以及
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种初始电路,特别是有关于桥式(bridge)切换电路的初始电路。

背景技术

请参阅图1所示,为一传统全桥(full bridge)切换电路100与一负载150的示意图。全桥切换电路100包括开关110、120、130、140。负载150可包括风扇、电源转换器等。开关110与开关130为P型金氧半导体(metal oxidesemiconductor,MOS)晶体管,而开关120与开关140为N型金氧半导体晶体管,其中信号SA-SD分别控制开关110、开关120、开关130以及开关140是否导通。此外,开关110与开关120为一互补式(complementary)开关组,而开关130与开关140为另一互补式开关组。因此,开关110与开关120不会同时导通,而开关130与开关140亦不会同时导通。

当全桥切换电路100在操作状态(operationstatus)时,信号SA-SD可控制开关110与开关140同时导通或是开关130与开关120同时导通,以对负载150提供不同的电源路径。此外,当全桥切换电路100在初始状态(initial status)时,一电源供应端提供电压VDD至全桥切换电路100,而信号SA-SD尚未开始动作,信号SA-SD皆为低逻辑位准。因此,开关110以及开关130导通,而开关120以及开关140不导通。然而,在PMOS晶体管(开关110、130)导通的情况下,虽然NMOS晶体管(开关120、140)不导通,其仍有漏电(leakage)路径存在而造成系统耗电。

因此,需要一种初始电路,能在初始状态下控制桥式切换电路内的全部开关皆不导通,并且在正常操作状态下不会影响各开关的操作。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种初始电路,其能在初始状态下控制桥式切换电路内的全部开关皆不导通,并且在正常操作状态下不会影响各开关的操作。

本发明提供一种初始电路,接收多数个输入信号,且控制一具有多数个开关的切换电路的初始状态。该初始电路包括:一判断电路,根据该些输入信号之一,而产生一致能信号;以及一控制电路,根据该致能信号与该些输入信号,产生多数个控制信号。其中,当该切换电路在初始状态时,该控制电路依据该些控制信号使该些开关不导通,当该切换电路在操作状态时,该控制电路依据该些输入信号而决定该些开关是否导通。

此外,本发明提供一种全桥切换电路,包括:一第一互补式开关组,具有一第一开关以及一第二开关;一第二互补式开关组,具有一第三开关以及一第四开关;  以及一初始电路,用以根据一第一、第二、第三以及第四输入信号而产生一第一、第二、第三以及第四控制信号以分别控制该第一、第二、第三以及第四开关。该初始电路包括:一判断电路,用以根据该第一、第二、第三以及第四输入信号的至少一者而产生一致能信号;以及一控制电路,用以根据该致能信号以及该第一、第二、第三以及第四输入信号而产生该第一、第二、第三以及第四控制信号。其中,当该致能信号为一第一逻辑位准时,该第一、第二、第三以及第四开关不导通,以及当该致能信号为一第二逻辑位准时,该第一、第二、第三以及第四控制信号根据该些输入信号分别控制该第一、第二、第三以及第四开关。

再者,本发明提供一种半桥切换电路,包括:一第一开关;一第二开关;以及一初始电路,用以根据一第一输入信号以及一第二输入信号而产生一第一控制信号以及一第二控制信号,以分别控制该第一开关以及该第二开关。该初始电路包括:一判断电路,用以根据该第一输入信号以及该第二输入信号的至少一者而产生一致能信号;以及一控制电路,用以根据该致能信号、该第一输入信号以及该第二输入信号而产生该第一控制信号以及该第二控制信号。其中,当该致能信号为一第一逻辑位准时,该第一开关以及该第二开关不导通,以及当该致能信号为一第二逻辑位准时,该第一控制信号以及该第二控制信号根据该些输入信号分别控制该第一开关以及该第二开关。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下,其中:

图1是显示传统全桥切换电路;

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