[发明专利]偏压供应器、启动电路以及偏压电路的启动方法无效
申请号: | 200710122779.4 | 申请日: | 2007-07-09 |
公开(公告)号: | CN101344795A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 陈力辅;李智顺 | 申请(专利权)人: | 硕颉科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏压 供应 启动 电路 以及 方法 | ||
1.一种偏压供应器,其特征在于包括:
一偏压电路,耦接一第一电压与一第二电压之间,并输出一回授电压;
一第一开关,耦接于该第一电压与一接点之间,依据该回授电压决定该第一开关导通与否;
一储能单元,耦接于该接点与该第二电压之间;以及
一第二开关,依据该接点的电压决定是否输出一启动电压给该偏压电路。
2.如权利要求1所述的偏压供应器,其特征在于该偏压电路包括:
一第一电流镜,耦接该第一电压,包括:
一第一晶体管,其第一端耦接该第一电压,该第一晶体管的第二端与栅极端互相耦接;以及
一第二晶体管,其第一端与栅极端分别耦接该第一晶体管的第一端与栅极端;
一第二电流镜,耦接于该第一电流镜与该第二电压之间,包括:
一第三晶体管,其第一端与第二端分别耦接该第一晶体管的第二端与该第二电压;以及
一第四晶体管,其第一端与栅极端耦接该第二晶体管的第二端,该第四晶体管的第二端耦接该第二电压,其中该第三晶体管与该第四晶体管的尺寸比不相同,
其中该偏压电路用以提供一稳定偏压。
3.一种启动电路,用以启动一偏压电路,其特征在于该启动电路包括:
一第一开关,其第一端与第二端分别耦接一第一电压与一接点,接收该偏压电路的一回授电压,以决定该第一开关导通与否;
一储能单元,其第一端与第二端分别耦接该接点与一第二电压;以及
一第二开关,依据该接点的电压决定是否提供一启动电压给该偏压电路。
4.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于包括:
一缓冲器,耦接于该接点与该第二开关之间,用以将该接点的电压提供给该第二开关。
5.如权利要求3所述的偏压供应器,其特征在于还包括:
一反相器,耦接于该接点与该第二开关之间,用以提供反相于该接点的电位给该第二开关。
6.如权利要求5所述的启动电路,其特征在于该反相器包括:
一第一晶体管,其第一端、第二端与栅极端分别耦接该第一电压、该第二开关与该接点;以及
一第二晶体管,其第一端、第二端与栅极端分别耦接该第二开关、该第二电压与该接点。
7.如权利要求6所述的启动电路,其特征在于该第一晶体管为P型金氧半晶体管,该第二晶体管为N型金氧半晶体管。
8.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于该偏压电路包括:
一第一电流镜,耦接该第一电压,包括:
一第一晶体管,其第一端耦接该第一电压,该第一晶体管的第二端与栅极端互相耦接;以及
一第二晶体管,其第一端与栅极端分别耦接该第一晶体管的第一端与栅极端;
一第二电流镜,耦接于该第一电流镜与该第二电压之间,包括:
一第三晶体管,其第一端与第二端分别耦接该第一晶体管的第二端与该第二电压;以及
一第四晶体管,其第一端与栅极端耦接该第二晶体管的第二端,该第四晶体管的第二端耦接该第二电压,其中该第三晶体管与该第四晶体管的尺寸比不相同,
其中该偏压电路用以提供一稳定偏压。
9.如权利要求8所述的启动电路,其特征在于:该回授电压是由该第三晶体管的第一端或该第四晶体管的第一端所提供。
10.如权利要求8所述的启动电路,其特征在于:该第一、第二晶体管为P型金氧半晶体管,该第三、第四晶体管为N型金氧半晶体管。
11.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于该第一开关包括:
一第一晶体管,其第一端与第二端分别耦接该第一电压与该接点,该第一晶体管的栅极端接收该回授电压,以决定该第一晶体管的第一端与第二端之间导通与否。
12.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于该储能单元包括:
一电容,耦接于该接点与该第二电压之间,当该电容于充电状态时,输出该启动电压给该偏压电路,当该电容于饱和状态时,则停止输出该启动电压给该偏压电路。。
13.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于该储能单元包括:
一第一晶体管,其第一端与第二端耦接该第二电压,该第一晶体管的栅极端耦接于该接点。
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