[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：

在形成于基板上的底层上方涂覆光阻膜；

以溶剂预处理所述光阻膜的表面，所述溶剂包含醇、烷、或两者；

在所述光阻膜上形成上方涂覆膜；以及

以湿浸式曝光器曝光所得的结构，所述结构包括设置于所述光阻膜上方的上方涂覆膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述底层选自一个群组，所述群组包括：氮化硅膜、氧化硅膜、硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、无掺杂的硅酸盐玻璃、等离子增强的四乙氧基硅酸盐玻璃(PE-TEOS)氧化物膜、氮氧化硅膜、多晶硅膜、有机漫反射膜、无机漫反射膜、及其组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述光阻膜包括选自于一个群组的主剂，所述群组包括：聚乙烯酚类、聚羟基苯乙烯类、聚降冰片烯类、聚金刚烷类、聚酰亚胺类、聚丙烯酸酯类、聚甲基丙烯酸酯类、聚氟类、及其组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述光阻膜包括选自于一个群组的主剂，所述群组包括：包括开环的顺丁烯二酸酐重复单元的ROMA-型聚合物；包括环烯烃重复单元、顺丁烯二酸酐重复单元、以及甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯重复单元的COMA-型聚合物；及其混合型聚合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述预处理工序是通过喷洒气态溶剂或涂覆液态溶剂来进行的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述溶剂包括C₄-C₁₅醇，并且在预处理所述光阻膜之后，在所述光阻膜上方形成所述上方涂覆膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述溶剂是醇，并且包括选自于一个群组中的一种或多种，所述群组包括：丁醇、戊醇、庚醇、辛醇、壬醇和癸醇。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述溶剂包括C₇-C₂₀烷溶剂，并且在预处理所述光阻膜之后，在所述光阻膜上方形成所述上方涂覆膜。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述溶剂是烷溶剂，并且包括选自于一个群组中的一种或多种，所述群组包括：庚烷、辛烷、壬烷和癸烷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述上方涂覆膜包括氟烃化合物和溶剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述溶剂包括C₄-C₁₅醇或C₇-C₂₀烷溶剂。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述氟烃化合物是溶于C₄-C₁₅醇或C₇-C₂₀烷溶剂中的全氟烃基化合物。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在涂覆光阻膜之前在所述底层上方形成底部抗反射膜。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述光阻膜上方进行涂覆之前，采用选自于一个群组的溶液预处理所述底部抗反射膜的顶部，所述群组包括：丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单甲醚、3-甲氧基丙酸甲酯、醋酸叔丁酯、及其组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述湿浸式光刻工序是采用选自于一个群组的曝光光源来进行的，所述群组包括：KrF、ArF、VUV、EUV、电子束、X射线以及离子束。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述湿浸式光刻工序是采用选自于一个群组的介质来进行的，所述群组包括：水、己烷、二甲苯、环辛烷、全氟聚醚、及其组合。