[发明专利]突波吸收器的材料及使用这种材料制作突波吸收器的方法有效
| 申请号： | 200710123035.4 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101105993A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 连清宏;郭政宗;林居南;朱颉安;章丽云;连伟成 | 申请（专利权）人： | 赑丰生技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C17/00;H01G4/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸收 材料 使用 这种 制作 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种突波吸收器的材料，具有以壳结构包覆核结构的微观结构，其特征在于，所述的核结构由导体或半导体材料所组成，所述的壳由玻璃绝缘材料所组成，且包覆所述的核结构。
2.如权利要求1所述的突波吸收器的材料，其中，所述的导体选用Al、Ni、Fe、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的其中一种或一种以上的金属或合金所组成。
3.如权利要求1所述的突波吸收器的材料，其中，所述的半导体材料选自Si、GaAs、TiO2、SnO2、ZnO、SrTiO3、BaTiO3、SiC的其中一种或以上材料所组成。
4.如权利要求1所述的突波吸收器的材料，其中，所述的绝缘材料选自硅酸盐玻璃、硼玻璃、磷玻璃或铅玻璃的其中一种所组成。
5.一种电压可任意调整的突波吸收器制造方法，其特征在于，使用权利要求1所述的材料为原料，再施以较低温度烧结制成一种突波吸收器，并在低温度烧结过程中，利用精确控制所述的原料的核结构的晶粒尺寸大小或所述的原料的核壳结构的绝缘层厚度或壳结构的绝缘阻抗，以调整所述的突波吸收器的崩溃电压。
6.如权利要求5所述的电压可任意调整的突波吸收器制造方法，其中，烧结温度为600～1100℃。
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