[发明专利]具有改进的色串扰的图像传感器有效

专利信息
申请号: 200710123042.4 申请日: 2007-06-22
公开(公告)号: CN101162724A 公开(公告)日: 2008-04-16
发明(设计)人: 雅罗斯拉夫·希内切克 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 刘继富;顾晋伟
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 改进 色串扰 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包含:

第一传导型的衬底;

排列在所述衬底上第一和第二像素;和

势垒,所述势垒形成在对应于所述第一像素的衬底区域中而不在对应于所述第二像素的衬底区域中。

2.权利要求1的图像传感器,其中所述势垒包含第一传导型的掺杂层。

3.权利要求1的图像传感器,其中所述第二像素对波长大于所述第一像素所响应的颜色的波长的颜色响应。

4.权利要求1的图像传感器,其中所述第二像素包含红色第一吸光滤色片,和所述第一像素包含绿色、蓝色或其组合的第二吸光滤色片。

5.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素包含共享电路以读取光生电荷作为电信号。

6.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含发光二极管以收集光生电荷。

7.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含浮动扩散节点以检测光生电荷。

8.权利要求7的图像传感器,其中所述浮动扩散节点包含共享浮动扩散节点。

9.权利要求8的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含转移栅极以将光生电荷转移至所述共享浮动扩散节点。

10.权利要求6的图像传感器,其中所述光电二极管包含钉扎光电二极管。

11.权利要求1的图像传感器,其中所述衬底包含形成在所述衬底上的P型外延层,所述衬底包含重度P+型掺杂衬底。

12.权利要求11的图像传感器,其中所述第一像素包含光电二极管以收集光生电荷,所述势垒形成在所述P型外延层中,所述P型外延层形成在由所述光电二极管限定的耗尽区下方。

13.权利要求1的图像传感器,其中所述势垒通过高能离子注入来掺杂掺杂剂。

14.权利要求11的图像传感器,其中所述势垒通过在所述P型外延层的外延生长期间离子注入或扩散来掺杂掺杂剂。

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