[发明专利]具有改进的色串扰的图像传感器有效
申请号: | 200710123042.4 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101162724A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 雅罗斯拉夫·希内切克 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘继富;顾晋伟 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 色串扰 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包含:
第一传导型的衬底;
排列在所述衬底上第一和第二像素;和
势垒,所述势垒形成在对应于所述第一像素的衬底区域中而不在对应于所述第二像素的衬底区域中。
2.权利要求1的图像传感器,其中所述势垒包含第一传导型的掺杂层。
3.权利要求1的图像传感器,其中所述第二像素对波长大于所述第一像素所响应的颜色的波长的颜色响应。
4.权利要求1的图像传感器,其中所述第二像素包含红色第一吸光滤色片,和所述第一像素包含绿色、蓝色或其组合的第二吸光滤色片。
5.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素包含共享电路以读取光生电荷作为电信号。
6.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含发光二极管以收集光生电荷。
7.权利要求1的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含浮动扩散节点以检测光生电荷。
8.权利要求7的图像传感器,其中所述浮动扩散节点包含共享浮动扩散节点。
9.权利要求8的图像传感器,其中所述第一像素和所述第二像素各自包含转移栅极以将光生电荷转移至所述共享浮动扩散节点。
10.权利要求6的图像传感器,其中所述光电二极管包含钉扎光电二极管。
11.权利要求1的图像传感器,其中所述衬底包含形成在所述衬底上的P型外延层,所述衬底包含重度P+型掺杂衬底。
12.权利要求11的图像传感器,其中所述第一像素包含光电二极管以收集光生电荷,所述势垒形成在所述P型外延层中,所述P型外延层形成在由所述光电二极管限定的耗尽区下方。
13.权利要求1的图像传感器,其中所述势垒通过高能离子注入来掺杂掺杂剂。
14.权利要求11的图像传感器,其中所述势垒通过在所述P型外延层的外延生长期间离子注入或扩散来掺杂掺杂剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的