[发明专利]流体温度控制系统及其温度调整设备

说明书

技术领域

本发明有关于一种温度调整设备的设计，尤其是适用于流体温度控制系统上。

背景技术

制造半导体装置时，多将集成电路等的半导体组件制作成晶圆半导体，而于制作的过程中有包括对晶圆半导体进行清洗或蚀刻的步骤，一般而言，此步骤通常在一个液体反应槽内装置有化学液体，以供晶圆半导体等做清洗或蚀刻的动作，但以由于化学特性的关系，上述的动作均需要在一定温度下才可做进行化学反应。故习有设备中均需要有配置有一加热槽与一致冷槽，当晶圆半导体需要加热时，需移动晶圆半导体到加热槽中加热，在需要降温时则需移动晶圆半导体到致冷槽，由于晶圆半导体在移动过程中，可能会造成不必要的污染或是损伤，故移动晶圆半导体不是一个最佳的制造方式。

发明内容

为了能使本发明的特征与技术优势能有更清楚的呈现，特举一较佳实施例来加以详细说明。

本发明提供一种流体温度控制系统及其温度调整设备，以解决习知晶圆需于加热槽及致冷槽间来回移动的问题。

本发明的一实施例所提供的流体温度控制系统主要将液体反应槽与温度调整设备结合，包括有液体反应槽、温度感应器、温度调整设备、第一流出管路以及第一流入管路，其中第一流出管路及第一流入管路连通于液体反应槽与温度调整设备间，藉由温度调整设备来对液体反应槽内的反应液体进行温度的调整，例如在反应液体经由第一流出管路进入于温度调整设备内时，即可对反应液体进行升温或降温的作业，待反应液体到达预设的作业温度后，再由第一流入管路回流至液体反应槽内，如此即可继续进行后续的作业。

因此本发明的目的就是在提供一种流体温度控制系统及其温度调整设备，可使晶圆半导体在进行清洗或蚀刻作业时的反应液体，于同一设备中即可进行升温或降温的动作，而达到可工作的预设温度。

附图说明

图1为本发明较佳实施例的系统设置示意图；

图2为温度调整设备较佳实施例的立体示意图；

图3为温度调整设备较佳实施例的结构分解示意图；

图4为温度调整设备较佳实施例的剖面示意图。

【图号说明】

液体反应槽10                   温度感应器20

温度调整设备30                 筒体31

第一化学反应液入口311          第一化学反应液出口312

冷水注入口313                  冷口排出口314

第二化学反应液入口315          第二化学反应液出口316

开口317                        盖体32

加热装置33                     电热管331

致冷装置34                     控制器35

第一化学反应导流管36           第二化学反应导流管37

隔绝件38                       定位组件39

定位环391、392                 第一流出管路40

第二流出管路41                 第一流入管路50

第二流入管路51

具体实施方式

为了能使本发明的特征更为清楚，以下将揭露本发明的实施例，例如各种特征的实施方式，然其并非用以限定本发明。

请参照图1，本发明流体温度控制系统的较佳实施例包括有液体反应槽10、温度感应器20、温度调整设备30、第一流出管路40以及第一流入管路50，其中第一流出管路40及第一流入管路50连通于液体反应槽10与温度调整设备30间，而温度感应器20设置于液体反应槽10内，藉以监控液体反应槽10内的反应液体温度，此外，更藉由温度调整设备30来对液体反应槽10内的反应液体进行温度的调整，例如在反应液体经由第一流出管路40进入于温度调整设备30内时，即可对反应液体进行升温或降温的作业，待反应液体到达预设的作业温度后，再由第一流入管路50回流至液体反应槽10内，如此即可继续进行后续的作业。

除此之外，本实施例中更包括有第二流出管路41以及第二流入管路51，其中第二流出管路41及第二流入管路51同样连通于液体反应槽10与温度调整设备30间，藉以提供反应液体更多的流动管路，进一步提高使反应液体于液体反应槽10与温度调整设备30间的流动速率，而让液体反应槽10内的反应液体可以更快的达到预设的作业温度。