[发明专利]一种抗干扰性强的气体传感器

权利要求书

1.一种抗干扰性强的气体传感器，其特征在于，由以下重量份 的原料，经共沉淀、掺杂或固相混合烧结后构成敏感材料，再将 0.01-50份Pd/PdO/Pd、0.01-50份Pt/PtO/Pt掺杂到敏感材料中，然后 以有机硅进行表面修饰制得：

2.权利要求1所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法，其 特征在于：将原料SnO₂、Al₂O₃、SiO₂、MgO、CaO、Sb₂O₃经共沉淀、 掺杂或固相混合烧结后构成敏感材料，再将Pd/PdO/Pd和Pt/PtO/Pt掺 杂到敏感材料中，然后以有机硅进行表面修饰制得。

3.根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法， 其特征在于：所述的表面修饰，是将有机硅与醇类及酸类相混合、或 用硅化合物在碱性介质中的溶胶类混合物、或有机硅构成表面修饰材 料。

4.根据权利要求2所述的抗干扰性强的气体传感器的制备方法， 其特征在于：所述的表面修饰采用掺杂的方式、浸渍的方式或者化学 沉积的方式。