[发明专利]一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系及其镀制方法有效
申请号: | 200710123582.2 | 申请日: | 2007-07-04 |
公开(公告)号: | CN101067661A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 刘凤玉 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业第一集团公司第六一三研究所 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;C23C14/06;C23C14/24 |
代理公司: | 中国航空专利中心 | 代理人: | 李建英 |
地址: | 471009*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基底 零件 表面 红外 截止 滤光 膜膜系 及其 方法 | ||
1.一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系,其特征在于,该膜系从里到外由13层膜组成,其奇数层膜料为硫化锌,偶数层膜料为锗;每层膜的光学厚度为:
。
2.一种在锗基底表面镀制如权利要求1所述红外截止滤光膜膜系的方法,其特征是,所用设备需配置E型电子束蒸发源、热电组蒸发源、石英晶体控制部件、离子束辅助装置、加热烘烤装置;
工艺步骤如下:
(1)清洁被镀零件,使用超声波和/或清洁剂对锗基底零件镀膜表面进行清洁处理;
(2)烘烤基底,将被镀零件夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中,抽真空到1×10-2Pa时,加热基底到120℃~180℃,保温时间1~2小时;
(3)镀制ZnS膜,ZnS膜料放在热电组蒸发舟内进行蒸镀,蒸镀时真空度为5×10-3Pa~1×10-3Pa,蒸发速率为0.8nm/S~1nm/S,膜层厚度由石英晶体控制仪控制,膜层的几何厚度值为权利要求1表中序号1所对应膜层的光学厚度值乘以系数0.86,即几何厚度值为475nm;
(4)镀制Ge膜,Ge膜料放在可旋转电子枪蒸发源坩埚中由电子束进行蒸镀,蒸镀时真空度为5×10-3Pa~2×10-3Pa,蒸发速率为0.4nm/S~0.6nm/S,膜层厚度由石英晶体控制仪控制,膜层的几何厚度值为权利要求1表中序号2所对应膜层的光学厚度值乘以系数0.385,即几何厚度值为386nm;
(5)重复步骤(3)和(4),交替镀制其它所有膜层,3~13层膜中所有奇数膜层所用膜料、工艺参数与步骤(3)相同,膜层的几何厚度为其在权利要求1表中所对应层的光学厚度值乘以系数0.86;所有偶数膜层所用膜料、工艺参数与步骤(4)相同,膜层的几何厚度为其在权利要求1表中所对应层的光学厚度值乘以系数0.385;
(6)冷却后取出镀制好膜系的光学零件。
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