[发明专利]一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系及其镀制方法有效

专利信息
申请号: 200710123582.2 申请日: 2007-07-04
公开(公告)号: CN101067661A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 刘凤玉 申请(专利权)人: 中国航空工业第一集团公司第六一三研究所
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;C23C14/06;C23C14/24
代理公司: 中国航空专利中心 代理人: 李建英
地址: 471009*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 基底 零件 表面 红外 截止 滤光 膜膜系 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种锗基底零件表面的红外截止滤光膜膜系,其特征在于,该膜系从里到外由13层膜组成,其奇数层膜料为硫化锌,偶数层膜料为锗;每层膜的光学厚度为:

 

序号12345678910111213膜层的光学          厚度(nm)     552    1001    1121   910   923    1173   956   682    1224   954   702    1986    2313

2.一种在锗基底表面镀制如权利要求1所述红外截止滤光膜膜系的方法,其特征是,所用设备需配置E型电子束蒸发源、热电组蒸发源、石英晶体控制部件、离子束辅助装置、加热烘烤装置;

工艺步骤如下:

(1)清洁被镀零件,使用超声波和/或清洁剂对锗基底零件镀膜表面进行清洁处理;

(2)烘烤基底,将被镀零件夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中,抽真空到1×10-2Pa时,加热基底到120℃~180℃,保温时间1~2小时;

(3)镀制ZnS膜,ZnS膜料放在热电组蒸发舟内进行蒸镀,蒸镀时真空度为5×10-3Pa~1×10-3Pa,蒸发速率为0.8nm/S~1nm/S,膜层厚度由石英晶体控制仪控制,膜层的几何厚度值为权利要求1表中序号1所对应膜层的光学厚度值乘以系数0.86,即几何厚度值为475nm;

(4)镀制Ge膜,Ge膜料放在可旋转电子枪蒸发源坩埚中由电子束进行蒸镀,蒸镀时真空度为5×10-3Pa~2×10-3Pa,蒸发速率为0.4nm/S~0.6nm/S,膜层厚度由石英晶体控制仪控制,膜层的几何厚度值为权利要求1表中序号2所对应膜层的光学厚度值乘以系数0.385,即几何厚度值为386nm;

(5)重复步骤(3)和(4),交替镀制其它所有膜层,3~13层膜中所有奇数膜层所用膜料、工艺参数与步骤(3)相同,膜层的几何厚度为其在权利要求1表中所对应层的光学厚度值乘以系数0.86;所有偶数膜层所用膜料、工艺参数与步骤(4)相同,膜层的几何厚度为其在权利要求1表中所对应层的光学厚度值乘以系数0.385;

(6)冷却后取出镀制好膜系的光学零件。

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