[发明专利]一种场发射电子源的制备方法

权利要求书

1. 一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：

提供一碳纳米管长线；

加热该碳纳米管长线；

提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该碳纳米管长线，使该碳纳米管长线在被轰击处熔断；以及

将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。

2. 如权利要求1所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管长线的制备方法包括以下步骤：

提供一超顺排碳纳米管阵列形成于一基底；

采用一拉伸工具从该碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝；以及

采用有机溶剂或者施加机械外力处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝得到一碳纳米管长线。

3. 如权利要求2所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述从碳纳米管阵列拉取碳纳米管获得该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝的方法包括以下步骤：

从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管片断；以及

以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管片断，以形成一连续的碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝。

4. 如权利要求2所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝的方法包括以下步骤：

提供一有机溶剂；

将该有机溶剂滴落在碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝表面浸润整个碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝。

5. 如权利要求2所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂为乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。

6. 如权利要求2所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的机械外力处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝的方法包括以下步骤：

提供一纺纱轴，采用该纺纱轴旋转并拉伸该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝得到一碳纳米管长线。

7. 如权利要求1所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的碳纳米管长线的制备方法包括以下步骤：

提供一超顺排碳纳米管阵列形成于一基底；

采用一拉伸工具从该碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管长线。

8. 如权利要求1所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的加热碳纳米管长线的方法包括以下步骤：将该碳纳米管长线放置于一真空系统；在该碳纳米管长线中通入电流，加热该碳纳米管长线。

9. 如权利要求1所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，所述的碳纳米管长线的加热温度为1800K～2500K。

10. 如权利要求1所述的场发射电子源的制备方法，其特征在于，进一步包括通过一导电胶将该碳纳米管长线粘附于该导电基体之上。