[发明专利]存储介质中数据校验方法有效

专利信息
申请号: 200710124977.4 申请日: 2007-12-12
公开(公告)号: CN101183565A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 罗挺;谭四方;成晓华 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储 介质 数据 校验 方法
【权利要求书】:

1.一种存储介质中数据校验方法,包括:

组织ECC数据矩阵;

对数据编码,产生行校验码和列校验码;

在对所述ECC数据矩阵进行数据操作时,使用所述行校验码和列校验码对数据进行校验。

2.根据权利要求1所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述组织ECC数据矩阵是将所述存储介质的一个扇区分别作为一行,多个扇区分别取一个字节组成一列,多行与多列组成所述ECC数据矩阵。

3.根据权利要求2所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述ECC数据矩阵的每行分为多字节的行数据区和多字节的行校验区,各行校验区用于存放该行的行校验码;根据各行数据区中的数据分别编码得到各行的行校验码,行校验区的每一列分别存放行校验码的一个字节。

4.根据权利要求2所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于:

ECC数据矩阵的每列分为多字节的列数据区和多字节的列校验区,各列校验区用于存放该列的列校验码;根据各列数据区中的数据分别编码得到各列的列校验码,列校验区的每一行分别存放列校验码的一个字节。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,将数据写入所述存储介质的过程包括:

对数据编码产生行校验码和列校验码的步骤;

将数据与行校验码和列校验码组成ECC数据矩阵的步骤;

将所述ECC数据矩阵写入存储介质的步骤。

6.根据权利要求5所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,将数据写入所述存储介质的过程还包括:

判断需要写入的数据是否够填满一个数据矩阵,若不够填满一个数据矩阵则等待下次需要写入的数据或用随机数填充,使数据足够填满一个数据矩阵。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,从存储介质读取数据的过程包括:

从存储介质中读取ECC数据矩阵的步骤;

对ECC数据矩阵中的数据,进行行校验和/或列校验的步骤;

返回数据或校验结果的步骤。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述修改存储介质中的数据的过程包括:

从存储介质中读取ECC数据矩阵的步骤;

对ECC数据矩阵中的数据进行行校验和/或列校验的步骤;

修改数据,产生新的ECC数据矩阵的步骤;

将新的ECC数据矩阵写入存储介质的步骤。

9.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述对ECC数据矩阵中的数据进行行校验和/或列校验的步骤包括:

对所述ECC数据矩阵中的至少一行数据,使用行校验码分别校验,再对所述ECC数据矩阵中的至少一列数据,使用列校验码分别校验;

或对所述ECC数据矩阵中的至少一列数据,使用列校验码分别校验,再对所述ECC数据矩阵中的至少一行数据,使用行校验码分别校验。

10.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述对ECC数据矩阵中的数据进行行校验和/或列校验的步骤包括:

对所述ECC数据矩阵中的至少一列数据,使用列校验码分别校验;

对所述ECC数据矩阵中的至少一行数据,使用行校验码分别校验;

判断上述校验步骤是否纠正了错误,若纠正至少一错误则循环进行上述列校验和行校验过程,直到无法纠正任何错误。

11.根据权利要求1至4任意一项所述的存储介质中数据校验方法,其特征在于,所述存储介质为Nand Flash闪存介质,所述ECC数据矩阵的一行对应闪存介质的一页、一页的部分或多个页的组合。

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