[发明专利]具有高电源抑制比的低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 200710125429.3 申请日: 2007-12-21
公开(公告)号: CN101464699A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 谭润钦;方磊;谷文浩 申请(专利权)人: 辉芒微电子(深圳)有限公司
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 郭伟刚
地址: 518057广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 具有 电源 抑制 低压 线性 稳压器
【说明书】:

技术领域

发明涉及低压差线性稳压器(Low DropOut Voltage Linear Regulator,缩写为LDO)技术,具体涉及一种具有高电源抑制比(High PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)。

背景技术

LDO被广泛运用于无线设备中,用于为整个系统提供一个稳定、低噪的输出电压。LDO的电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,缩写为″PSRR″)用来衡量LDO对电源噪声的抑制能力。米勒补偿(millercompensation)是一种典型的频率补偿技术,主要是通过分开主次极点,使得单位增益带宽内只包含主极点,以获得较高的相位裕度。如图1所示的米勒补偿(miller compensation)被广泛运用于LDO的频率补偿,其基本原理是:通过米勒效应,使得前一级放大器看到的等效输出电容增大到A2CM,由于负反馈,降低了第二级的输出电阻,从而使得主次极点更加分开,使环路更稳定,利用米勒效应进行补偿前后的环路增益曲线如图2(a)所示。为了增强米勒效应在LDO中的频率补偿效果,人们一方面增大米勒补偿电容CM的大小,从几个pF到上百pF的米勒电容已经被集成在芯片上;另一方面,在允许环路增益较高的应用场合,人们设计出嵌套式米勒补偿(NMC)、多通道嵌套式米勒补偿(MNMC)等多种形式的米勒补偿方法,以减小米勒补偿电容CM的大小。由于LDO的输出负载可能在相当大的范围内变化,同时利用增大米勒电容和使用嵌套式米勒补偿的方法,已经被用于保证LDO在任意负载条件下都能有稳定的输出。

然而,增大米勒补偿电容把环路主极点推向原点的同时,也把PSRR曲线的零点推向原点,使得在高频处的PSRR性能已受到了极大的恶化。图2(b)为采用了米勒效应进行补偿的前后的PSRR曲线的变化。可以看到,米勒补偿虽然是稳定了LDO的输出,却使其PSRR在高频处的性能变差了。

发明内容

本发明针对现有技术的上述问题,提出一种具有高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO),可以在提高PSRR高频处的性能的同时,保持LDO的稳定,从根本上解决了由于米勒效应带来的PSRR主零点的过小的问题。

本发明上述技术问题这样解决,构造一种具有高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于,在电源Vdd与误差放大器的输出端(N1)之间连接有可减小N1节点等效输出电容的传输函数为Zpc的补偿网络(201)。

其中,选择补偿网络(201)使得主零点

接近无穷大,其中,R1为误差放大器的输出电阻,CM为米勒电容,CPC为补偿网络(201)的电容,A2为放大器增益。

其中,补偿网络(201)是一个容性阻抗网络。

实施本发明提供的具有高电源抑制比的低压差线性稳压器,能够有效推开了PSRR曲线的近零点,在提高LDO在高频处的PSRR特性的同时,保持LDO的稳定,从根本上解决了由于米勒效应带来的PSRR主零点的过小的问题。

附图说明

图1为米勒补偿的示意图。

图2(a)为采用了米勒效应进行补偿前后的环路增益曲线。

图2(b)为采用了米勒效应进行补偿前后的PSRR曲线。

图3为按照本发明增加PSRR补偿网络的LDO的一个实施例的电路示意图。

图4为按照本发明增加PSRR补偿网络前后的米勒补偿LDO的PSRR曲线。

具体实施方式

LDO在没有使用米勒电容时,LDO的PSRR曲线的零点由(1)式给出。

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采用了米勒补偿后,LDO的PSRR曲线的零点由(2)试给出。

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