[发明专利]热电子源

权利要求书

1.一种热电子源，包括一基板、一热电子发射体、一第一电极和一第二电极，所述第一电极和第二电极间隔设置，并与该热电子发射体电接触，其特征在于，所述基板具有一凹槽，所述热电子发射体对应该凹槽并设置于所述基板表面，所述热电子发射体至少部分通过所述基板的凹槽与所述基板间隔设置。

2.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述凹槽的凹陷深度为10微米～50微米。

3.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子发射体为一薄膜结构或者至少一根长线。

4.如权利要求3所述的热电子源，其特征在于，所述热电子发射体为一碳纳米管薄膜结构，该碳纳米管薄膜结构包括至少一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。

5.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管薄膜结构包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿从所述第一电极向所述第二电极延伸的方向排列。

6.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管薄膜结构包括至少两个重叠设置的碳纳米管薄膜，该重叠设置的碳纳米管薄膜中相邻两个碳纳米管薄膜中的碳纳米管的排列方向具有一交叉角度α，且0°≤α≤90°。

7.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述的碳纳米管薄膜的宽度为0.01厘米～10厘米，厚度为10纳米～100微米。

8.如权利要求4所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管束，相邻的碳纳米管束之间通过范德华力连接。

9.如权利要求8所述的热电子源，其特征在于，所述碳纳米管束包括多个长度相等且相互间隔排列的碳纳米管，相邻的碳纳米管之间通过范德华力连接。

10.如权利要求1所述的热电子源，其特征在于，所述热电子源进一步包括一低逸出功层，该低逸出功层设置在所述热电子发射体的表面。

11.如权利要求10所述的热电子源，其特征在于，所述低逸出功层的材料为氧化钡或者钍。