[发明专利]热发射电子器件有效
申请号: | 200710125661.7 | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101471212A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J1/13 | 分类号: | H01J1/13 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 电子器件 | ||
1. 一种热发射电子器件,其包括:
一绝缘基底;
多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上,该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置,每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格,且行电极引线与列电极引线之间电绝缘;
多个热电子发射单元,每个热电子发射单元对应一个网格设置,每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体,该第一电极与第二电极间隔设置于所述每个网格中,并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接,所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接,其特征在于,所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
2. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述至少一根碳纳米管长线至少部分通过所述第一电极与第二电极与所述绝缘基底间隔设置。
3. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述热发射电子器件进一步包括多个凹槽,该多个凹槽对应每个网格设置于所述绝缘基底表面。
4. 如权利要求3所述的热发射电子器件,其特征在于,所述多个凹槽等大且等间距设置于所述绝缘基底表面,所述至少一根碳纳米管长线至少部分通过所述绝缘基底的凹槽与所述绝缘基底间隔设置。
5. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述热电子器件中的网格按阵列排列,每一行的网格中的第一电极与同一行电极引线电连接,每一列的网格中的第二电极与同一列电极引线电连接。
6. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述每个热电子发射单元包括相同数量的碳纳米管长线平行且等间隔排列,该碳纳米管长线的直径为0.5纳米~100微米。
7. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述第一电极和第二电极的厚度为10微米~100微米,所述第一电极和第二电极之间的间隔距离为150微米~450微米。
8. 如权利要求1所述的热发射电子器件,其特征在于,所述碳纳米管长线包括多个平行的首尾相连的碳纳米管束组成的束状结构或由多个首尾相连的碳纳米管束组成的绞线结构。
9. 如权利要求8所述的热发射电子器件,其特征在于,所述相邻的碳纳米管束之间通过范德华力紧密结合,每一碳纳米管束包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管。
10. 如权利要求9所述的热发射电子器件,其特征在于,所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种,所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米~50纳米,所述双壁碳纳米管的直径为1.0纳米~50纳米,所述多壁碳纳米管的直径为1.5纳米~50纳米。
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