[发明专利]热电子源的制备方法有效
申请号: | 200710125673.X | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101471215A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 柳鹏;刘亮;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J1/13 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 制备 方法 | ||
1.一种热电子源的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基板,在该基板的表面间隔地形成一第一电极和一第二电极;
形成一碳纳米管薄膜结构覆盖所述第一电极和第二电极作为热电子发射体, 该碳纳米管薄膜结构至少部分通过所述第一电极和第二电极与所述基板间 隔,从而得到一热电子源。
2.如权利要求1所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述形成一碳纳米 管薄膜结构覆盖所述第一电极和第二电极作为热电子发射体的步骤具体包 括以下步骤:制备至少一碳纳米管薄膜;将该至少一碳纳米管薄膜铺设于所 述第一电极和第二电极,从而形成一碳纳米管薄膜结构。
3.如权利要求1所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述在基板表面间 隔地形成一第一电极和一第二电极的方法包括丝网印刷法、胶印印制法、静 电喷涂法、电泳法、光刻镀膜法或者紫外光固化法。
4.如权利要求1所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述在基板表面间 隔地形成一第一电极和一第二电极的方法具体包括以下步骤:
提供一导电浆料;
将上述导电浆料按照预定图案涂覆于所述基板表面;以及
对上述涂覆有导电浆料的基板进行热处理,从而在该基板表面形成相互间 隔的一第一电极和一第二电极。
5.如权利要求4所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述导电浆料包括 导电材料、粘结剂、有机溶剂和有机助剂。
6.如权利要求5所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述导电材料为金、 银和铜中的一种或者多种,所述粘结剂为无机粘结剂、有机粘结剂和低熔点 金属中的一种或者多种,所述导电材料与粘结剂的重量比为0.1∶10~10∶1。
7.如权利要求5所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为乙 醇、乙二醇、乙丙醇和碳氢化合物中的一种或者多种。
8.如权利要求5所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述有机助剂包括 增粘剂、分散剂、增塑剂或者表面活性剂。
9.如权利要求4所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述热处理的步骤 具体包括以下步骤:
加热涂覆有导电浆料的基板,去除所述导电浆料中的有机成分;以及
自然冷却所述导电浆料,从而在该基板表面形成相互间隔的一第一电极和一 第二电极。
10.如权利要求4所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述热处理的温度 低于或等于600℃。
11.如权利要求2所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述至少一碳纳米 管薄膜的制备方法包括以下步骤:
提供一碳纳米管阵列形成于一基底;
从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管束片断;以及
采用一拉伸工具沿垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸所述多个碳纳米管束 片断,获得一连续的碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿拉伸的 方向排列。
12.如权利要求11所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述将至少一碳 纳米管薄膜铺设于所述第一电极和第二电极的步骤具体包括以下步骤:将一 碳纳米管薄膜沿从所述第一电极向所述第二电极延伸的方向直接铺设于所 述第一电极和第二电极,形成一碳纳米管薄膜结构。
13.如权利要求11所述的热电子源的制备方法,其特征在于,所述将至少一碳 纳米管薄膜铺设于所述第一电极和第二电极的步骤具体包括以下步骤:将至 少两个碳纳米管薄膜重叠铺设于所述第一电极和第二电极,形成一碳纳米管 薄膜结构。
14.如权利要求12或13所述的热电子源的制备方法,其特征在于,进一步包括 使用有机溶剂处理所述碳纳米管薄膜结构的步骤。
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