[发明专利]用于电致发光显示器的像素驱动电路有效
申请号: | 200710126003.X | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101097687A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 卞胜赞;金京满;白星豪;金仁焕 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09G3/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电致发光 显示器 像素 驱动 电路 | ||
1.一种电致发光显示器件,包括:
限定多个像素的多条栅线和数据线,以及向所述像素施加信号的多条电源 线;
数据驱动单元,用于将数据电压Vdata提供到所述数据线;
在各像素处用于发光的发光单元;
在各像素处的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管由通过所述栅线输入 的信号导通;
在各像素处的第二薄膜晶体管,当第一薄膜晶体管被导通时,所述第二薄 膜晶体管导通以将通过所述电源线施加的所述信号施加到所述发光单元;
存储电容器,位于所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极之间,当第一薄膜晶 体管被截止时,所述第二薄膜晶体管将对应于在所述存储电容器中充电的电压 的电流提供到所述发光单元以从所述发光单元发光;以及
接地端电压控制单元,用于控制第一接地端电压Vss_IC和第二接地端电 压Vss_EL,
其中所述第二接地端电压Vss_EL高于所述第一接地端电压Vss_IC, Vss_EL=Vss_IC+Va,并且所述第二接地端电压控制所述第二薄膜晶体管的栅- 源电压Vgs,所述栅-源电压Vgs被降低Va,即满足公式,Vgs=Vdata-Va, 并且
其中所述数据驱动单元施加有来自所述接地端电压控制单元的所述第一 接地端电压Vss_IC,并根据所述第一接地端电压Vss_IC将所述数据电压输出 到所述数据线,所述第一接地端电压Vss_IC是在所述接地端电压控制单元中 确定的所述数据驱动单元的基准电压,所述发光单元施加有来自所述接地端电 压控制单元的所述第二接地端电压Vss_EL并根据所述第二接地端电压 Vss_EL供应有电压,所述第二接地端电压Vss_EL是在所述接地端电压控制 单元中确定的所述发光单元的基准电压,
其中所述接地端电压控制单元控制所述接地端电压Vss_EL,以使负电压 施加到所述第二薄膜晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器件,其中所述第一薄膜晶体管和 第二薄膜晶体管的至少其中之一包括N-MOS薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示器件,其中所述第二薄膜晶体管包 括:
基板;
在所述基板上的半导体;
在所述半导体上的栅绝缘层;
在所述半导体上的栅极;
在所述栅极上的隔层;以及
在所述隔层上的源极和漏极。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示器件,其中所述第二薄膜晶体管进 一步包括在所述基板上方的钝化层以覆盖所述第二薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示器件,其中所述发光单元包括:
在钝化层上的阳极;
在所述阳极上的发光层;以及
在所述发光层上的阴极。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示器件,其中所述阳极通过在所述钝 化层中的接触孔而与所述第二薄膜晶体管的源/漏极连接。
7.根据权利要求5所述的电致发光显示器件,其中所述阳极由铟锡氧化物 制成。
8.根据权利要求5所述的电致发光显示器件,其中所述阴极由具有低功函 的金属制成。
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