[发明专利]用于局部屏蔽MR超导磁线圈的方法和装置

权利要求书

1.一种屏蔽线圈装置，包括：

构成封闭的传导路径并且具有定位于沿着MR系统(10)的第一超导磁线圈(70)的部分的多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)的超导线(75)，该多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)配置为与由第一方向的磁场梯度(G_x，G_y，G_z)产生的梯度磁场磁耦合，以便局部屏蔽第一超导磁线圈(70)。

2.权利要求1所述的屏蔽线圈装置，还包括所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的外径(98，120，140，160，174，188)沿圆周布线的第一弧(94，118，138，156，172，184)。

3.权利要求2所述的屏蔽线圈装置，还包括所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的内径(96，114，139，158，168，186)沿圆周布线的第二弧(92，110，136，154，166，182)。

4.权利要求3所述的屏蔽线圈装置，其中在第一弧(94，156)和第二弧(92，154)之间定义的平面基本垂直于B_rz梯度场方向(86，152)。

5.权利要求3所述的屏蔽线圈装置，还包括：

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的外径(98，120，140，160，174，188)沿圆周布线的第三弧(116，138，170，184)；和

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的内径(96，114，139，158，168，186)沿圆周布线的第四弧(112，136，164，182)。

6.权利要求5所述的屏蔽线圈装置，还包括：

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的外径沿圆周布线的第五弧(94，116，138，156，170，184)；

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的外径沿圆周布线的第六弧(92，110，136，154，166，182)；

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的内径沿圆周布线的第七弧(118，138，172，184)；

所述多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)中临近所述第一超导磁线圈(70)的内径沿圆周布线的第八弧(112，136，164，182)；

7.权利要求5所述的屏蔽线圈装置，其中在第一弧(118，172)和第三弧(116，170)之间定义的平面基本垂直于B_r梯度场方向(104，162)。

8.权利要求5所述的屏蔽线圈装置，其中在第一弧(118，138，156，172，184)和第四弧(112，136，164，182)之间定义的平面基本垂直于B_z梯度场方向(130，180)。

9.权利要求1所述的屏蔽线圈装置，进一步包括超导接点(79)，该接点配置用于将超导线(75)的第一端(80)连接到其第二端(81)。

10.权利要求1所述的屏蔽线圈装置，其中所述超导线(75)具有被定位于沿着MR系统(10)的第二超导磁线圈(72)的第二多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)，该第二多个弧(92，94，110，112，116，118，136，138，154，156，164，166，170，172，182，184)配置用于与由第一方向的磁场梯度(G_x，G_y，G_z)产生的梯度磁场磁耦合，以便局部屏蔽该第二超导磁线圈(72)。