[发明专利]TFT阵列衬底及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及TFT阵列衬底及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置等电光元件作为代替CRT的平板显示器(flat-paneldisplay)之一而备受关注。其具有低功耗或形体薄的特征，广泛应用于有效利用这样特征的产品。此外，在有源矩阵驱动方式的液晶显示装置中，多使用TFT作为开关(switching)元件。

为提高这样的液晶显示装置的生产率，需要减少具有TFT的TFT阵列衬底的制造步骤数。例如，专利文献1中公开了减少照相制版步骤数的制造方法。由此，可以通过五次照相制版步骤制造出TFT阵列衬底。

在专利文献1中，首先，形成专利文献1的图58、59所示的TFT的源、漏(source/drain)电极(SD)与沟道(channel)部。在该制造步骤中，首先形成Ti等的金属薄膜。之后，使用照相制版步骤对抗蚀剂(resist)进行构图(patterning)，进行使用了氢氟酸(fluorinatedacid)+硝酸系的组成的药液的湿法刻蚀(wet etching)。此处，对Ti膜与Ti膜下层的半导体层的欧姆接触(n⁺a-Si)膜进行刻蚀(etching)，形成SD与沟道部。其次，在图60～图63中，由等离子体CVD法等形成钝化(passivation)膜。之后，形成通到漏(drain)电极的接触孔。并且，形成通过该接触孔与漏电极电连接的由ITO构成的透明像素电极。

专利文献1特开平8-50308号公报(段落0084-0089，图54-图63)

专利文献2特开2000-199912号公报

但是，按照本发明者们的研究结果，ITO与Ti或Cr或Ta等金属电连接的结构中，一般需要在约300℃下进行退火处理。这是为了充分降低其界面的接触(contact)电阻。但是，此种情况下，存在TFT的迁移率下降的问题。并且，因为布线电阻较高，所以，产生不能充分对应于TFT-LCD的大型化、高精细化、高速响应化这样的问题。

作为解决这样问题的方法，考虑在SD中使用Al来降低布线电阻的方法。但是，在该情况下，存在不能取得Al与n⁺a-Si的直接接触以及Al与ITO的直接接触的问题。即，存在无法取得SD与欧姆接触膜以及SD与透明像素电极的直接(direct)接触的问题。因此，专利文献2中提出了如下方法：将SD作成MoCr/Al合金/MoCr的三层结构，使布线低电阻化，并且，取得与SD下层的n⁺a-Si的直接接触以及与SD上层的ITO的直接接触。但是，在这样的方法中，必须将SD作成三层膜，存在步骤复杂化的问题。

发明内容

本发明是为解决所述的问题而进行的，其目的在于得到一种在电极的界面接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。

本发明的TFT阵列衬底具有：TFT，包括欧姆接触膜和与所述欧姆接触膜接触的电极；以及与所述电极电连接的光透射性的导电性膜，其中，所述电极由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

此外，本发明的TFT阵列衬底的制造方法是设置有包括欧姆接触膜和与所述欧姆接触膜接触的电极的TFT的TFT阵列衬底的制造方法，包括如下步骤：形成所述TFT；以覆盖所述TFT的方式在280℃以下形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成贯通至所述电极表面的接触孔；形成通过所述接触孔与所述电极连接的光透射性的导电性膜。

按照本发明，可得到在电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的TFT阵列衬底的结构平面图。

图2是表示实施方式1的TFT阵列衬底的像素结构的结构平面图。

图3是表示实施方式1的TFT阵列衬底的结构剖面图。

图4是表示TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

具体实施方式

首先，在说明几个的实施方式之前，使用附图对TFT阵列衬底的结构进行说明。图1是表示本发明的TFT阵列衬底的结构的平面图。使用本发明的TFT阵列衬底的显示装置是液晶显示装置或有机EL显示装置等的平面型显示装置(平板显示器)。