[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

以覆盖半导体基板的有源面侧的单晶区域露出的部分的方式，形成蚀刻选择比大于所述半导体基板的蚀刻选择比的第一单晶半导体层的工序；

以覆盖所述第一单晶半导体层的方式，形成蚀刻选择比小于所述第一单晶半导体层的蚀刻选择比的第二单晶半导体层的工序；

除去与使用所述第二单晶半导体层的一部分形成的元件区域部邻接并处于夹着所述元件区域部的位置区域内的所述第二单晶半导体层和所述第一单晶半导体层而开口，形成使所述半导体基板露出的支承体孔的工序；

以掩埋所述支承体孔和所述元件区域部的方式在所述半导体基板的有源面侧形成支承体前驱层的工序；

保留包括所述支承体孔和所述元件区域部的区域，蚀刻除去所述支承体前驱层而形成支承体的工序；

将所述支承体作为掩模，形成露出所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端部的至少一部分的露出面的工序；

通过湿式蚀刻除去所述第一单晶半导体层的工序；

利用热氧化在通过所述湿式蚀刻得到的空隙内填充氧化膜的工序；

形成平坦化绝缘层，并采用化学机械研磨法对所述半导体基板的有源面侧实施平坦化的工序；

通过使用了包含氟酸的蚀刻液的湿式蚀刻，对所述平坦化绝缘层进行蚀刻，露出所述第二单晶半导体层的工序；和

在所述第二单晶半导体层上形成晶体管的工序，

还具有：

在所述形成支承体孔的工序之后，在与所述支承体孔邻接的所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端面，形成对蚀刻液具有耐蚀刻性的第一侧壁的工序；和

在所述填充氧化膜的工序之后，在位于所述支承体下侧的所述第一单晶半导体层和所述氧化膜的所述露出面，形成对蚀刻液具有耐蚀刻性的第二侧壁的工序。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

以覆盖硅基板的有源面侧的单晶区域露出的部分的方式，形成包含混晶的第一单晶半导体层的工序，其中，所述混晶包含硅和锗；

以覆盖所述第一单晶半导体层的方式，形成由与所述第一单晶半导体层相比降低了硅中的锗比率、或只使用了硅的单晶所构成的第二单晶半导体层的工序；

除去与使用所述第二单晶半导体层的一部分形成的元件区域部邻接并处于夹着所述元件区域部的位置区域内的所述第二单晶半导体层和所述第一单晶半导体层而开口，形成使所述硅基板露出的支承体孔的工序；

以掩埋所述支承体孔和所述元件区域部的方式在所述硅基板的有源面侧形成氧化硅层的工序；

保留包括所述支承体孔和所述元件区域部的区域，蚀刻除去所述氧化硅层而形成支承体的工序；

将所述支承体作为掩模，形成露出所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端部的至少一部分的露出面的工序；

通过使用了氟硝酸蚀刻液的湿式蚀刻，除去所述第一单晶半导体层的工序；

利用热氧化在通过所述湿式蚀刻得到的空隙内填充氧化膜的工序；

形成平坦化氧化硅层，并采用化学机械研磨法对所述半导体基板的有源面侧实施平坦化的工序；

通过使用了包含氟酸的蚀刻液的湿式蚀刻，对所述平坦化氧化硅层进行蚀刻，露出所述第二单晶半导体层的工序；和

在所述第二单晶半导体层上形成晶体管的工序，

还具有：

在所述形成支承体孔的工序之后，在与所述支承体孔邻接的所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的端面，形成对所述包含氟酸的蚀刻液具有耐蚀刻性的第一侧壁的工序；和

在所述填充氧化膜的工序之后，在位于所述支承体下侧的所述第一单晶半导体层和所述氧化膜的所述露出面，形成对所述包含氟酸的蚀刻液具有耐蚀刻性的第二侧壁的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一侧壁和所述第二侧壁是氮化硅膜。

4.一种半导体装置，其特征在于，

其具有SOI结构，所述SOI结构包括：

形成在半导体基板的单晶区域中的元件区域部的氧化膜；

形成在所述氧化膜上的第二单晶半导体层；

形成在所述第二单晶半导体层和所述氧化膜的端面的对包含氟酸的蚀刻液具有耐蚀刻性的侧壁；和

形成在所述侧壁周围的将所述第二单晶半导体层与其他部分绝缘的氧化硅层。