[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件有第一TFT和第二TFT，其中，用包括两层的叠层结构的相同导电层形成所述第一TFT和所述第二TFT的栅电极，所述方法包括：

通过第一曝光方式形成第一光刻胶掩模；

用所述第一光刻胶掩模腐蚀所述导电层的第一区域，以形成所述第一TFT的栅电极；

所述腐蚀之后，向所述第一TFT的第一半导体有源层掺杂第一杂质元素；

所述掺杂之后通过第二曝光方式形成第二光刻胶掩模；

用所述第二光刻胶掩模腐蚀与所述第一区域不同的所述导电层的第二区域，以形成所述第二TFT的栅电极；和

所述第二区域的所述腐蚀之后，向所述第二TFT的第二半导体有源层掺杂第二杂质元素，

其中，在所述第一区域的所述腐蚀中制造具有锥形的边缘部分的栅电极，以及

其中，在所述第二区域的所述腐蚀中制造具有垂直边缘部分的栅电极。

2.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件有第一TFT和第二TFT，其中，用包括两层的叠层结构的相同导电层形成栅电极，所述方法包括：

通过第一曝光方式形成第一光刻胶掩模；

用所述第一光刻胶掩模腐蚀所述导电层的第一区域，以形成所述第一TFT的栅电极；

所述腐蚀之后，向所述第一TFT的第一半导体有源层掺杂第一杂质元素；

所述掺杂之后通过第二曝光方式形成第二光刻胶掩模；

用所述第二光刻胶掩模腐蚀与所述第一区域不同的所述导电层的第二区域，以形成所述第二TFT的栅电极；

所述第二区域的所述腐蚀之后，向所述第二TFT的第二半导体有源层掺杂第二杂质元素；和

所述第二杂质元素的所述掺杂之后，向所述第一TFT的所述第一半导体有源层和所述第二TFT的所述第二半导体有源层掺杂第三杂质元素，

其中，在所述第一区域的所述腐蚀中制造具有锥形的边缘部分的栅电极，以及

其中，在所述第二区域的所述腐蚀中制造具有垂直边缘部分的栅电极。

3.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件有第一TFT和第二TFT，其中，用包括两层的叠层结构的相同导电层形成所述第一TFT和所述第二TFT的栅电极，所述方法包括：

通过第一曝光方式形成第一光刻胶掩模；

用所述第一光刻胶掩模腐蚀所述导电层的第一区域，以形成所述第一TFT的栅电极；

所述腐蚀之后，用第二曝光方式形成第二光刻胶掩模；

用所述第二光刻胶掩模腐蚀与所述第一区域不同的所述导电层的第二区域，以形成所述第二TFT的栅电极，和

所述第二区域的所述腐蚀之后，向所述第一TFT的第一半导体有源层和所述第二TFT的第二半导体有源层掺杂第一杂质元素，

其中，在所述第一区域的所述腐蚀中制造具有锥形的边缘部分的栅电极，以及

其中，在所述第二区域的所述腐蚀中制造具有垂直边缘部分的栅电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述腐蚀所述导电层的所述第一区域的步骤包括，

腐蚀所述导电层的所述第一区域，以形成第一形状的导电层；

所述第一区域的所述腐蚀之后，向所述第一TFT的所述第一半导体有源层掺杂第三杂质元素，和

在所述第三杂质元素的所述掺杂之后，腐蚀所述第一形状的所述导电层，以制造所述第一TFT的所述栅电极。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述腐蚀所述导电层的所述第一区域的步骤包括，

腐蚀所述导电层的所述第一区域，以形成第一形状的导电层；

所述第一区域的所述腐蚀之后，向所述第一TFT的所述第一半导体有源层掺杂第四杂质元素，和

在所述第四杂质元素的所述掺杂之后，腐蚀所述第一形状的所述导电层，以制造所述第一TFT的所述栅电极。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述腐蚀所述导电层的所述第一区域的步骤包括，

腐蚀所述导电层的所述第一区域，以形成第一形状的导电层；

所述第一区域的所述腐蚀之后，向所述第一TFT的所述第一半导体有源层掺杂第二杂质元素，和

在所述第二杂质元素的所述掺杂之后，腐蚀所述第一形状的所述导电层，以制造所述第一TFT的所述栅电极。