[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710126875.6 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101102093A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | J·里伊纳南;J·科科夫于奥里 | 申请（专利权）人： | 诺基亚公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 吴立明 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种低噪声放大器装置，包括晶体管和连接到所述晶体管输入端的接合焊盘，所述接合焊盘具有对连接到所述晶体管第二端的金属层的电容性耦合。
2.根据权利要求1所述的放大器装置，其中，所述晶体管是场效应晶体管，并且所述第二端是所述场效应晶体管的源极。
3.根据权利要求1所述的放大器装置，其中，所述晶体管是双极结型晶体管，并且所述第二端是所述双极结型晶体管的发射极。
4.根据权利要求1所述的放大器装置，其中，所述金属层是所述接合焊盘的接地屏蔽。
5.根据权利要求1所述的放大器装置，其中，所述金属层是所述接合焊盘的接地屏蔽与所述接合焊盘的至少一个上部层之间的中间层。
6.根据权利要求1所述的放大器装置，其中，所述金属层配置为在所述输入端和所述第二端之间形成电容，其中所述第二端从包括下列的组中选择出来：作为场效应晶体管的所述晶体管的源极，以及作为双极结型晶体管的所述晶体管的发射极。
7.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，
形成在所述衬底上的晶体管，所述晶体管具有输入端和第二端，
连接到所述晶体管的输入端的接合焊盘，所述接合焊盘包括连接到所述晶体管的所述第二端的金属层。
8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述晶体管是场效应晶体管，并且所述第二端是所述场效应晶体管的源极。
9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述晶体管是双极结型晶体管，并且所述第二端是所述双极结型晶体管的发射极。
10.根据权利要求7所述的器件，其中，所述金属层是所述接合焊盘的接地屏蔽。
11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述金属层是所述接合焊盘的接地屏蔽与所述接合焊盘的至少一个上部层之间的中间层。
12.根据权利要求7所述的器件，包括电感退化的低噪声放大器。
13.根据权利要求7所述的器件，包括电阻退化的低噪声放大器。
14.一种接收器，包括如权利要求1所述的放大器装置。
15.一种集成电路，包括如权利要求1所述的放大器装置。
16.将寄生接合焊盘电容作为低噪声放大器中基极-发射极电容的用途。
17.将寄生接合焊盘电容作为低噪声放大器中栅极-源极电容的用途。
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