[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，尤其涉及对形成有热氧化膜和含有杂质的氧化膜的基板进行处理的基板处理方法。

背景技术

已知半导体设备用的晶片(基板)，具有由热氧化处理形成的热氧化膜和由CVD处理等形成的含有杂质的氧化膜例如BPSG(BoronPhosphorous Silicate Glass：硼磷硅酸盐玻璃)膜。BPSG膜形成于多晶硅膜上，使该多晶硅膜部分露出，在蚀刻多晶硅膜时，发挥硬质掩模的功能。此外，热氧化膜构成栅极氧化膜。

并且，在该基板上，蚀刻多晶硅膜后，要求不除去(蚀刻)热氧化膜、而是选择性地除去(蚀刻)BPSG膜。

在蚀刻氧化膜时，通常使用CF系气体的等离子体，但是，因为CF系气体的等离子体不仅蚀刻BPSG膜而且蚀刻热氧化膜，所以难以确保BPSG膜相对于热氧化膜的选择比，不能选择性地蚀刻BPSG膜。

与此相反，提出了不使HF气体、或HF气体和H₂O气体的混合气体等离子体化而使用的蚀刻方法(例如，参照专利文献1)。在该方法中，能够优先除去含有由于HF气体与H₂O结合生成的氢氟酸而产生的杂质的氧化膜，结果，能够选择性地蚀刻BPSG膜。

专利文献1：日本特开平06-181188号公报

但是，在使用HF气体、或HF气体和H₂O气体的混合气体蚀刻BPSG膜时，由于SiO₂与氢氟酸反应而产生残留物，该残留物附着在半导体设备用晶片的表面。该残留物在由该晶片制造的半导体设备中会引起短路等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够容易地除去因氢氟酸产生的残留物的基板处理方法和基板处理装置。

为了实现上述目的，本发明第一方面所述的基板处理方法是，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理的基板处理方法，其特征在于，包括：HF气体供给步骤，向上述基板供给HF气体；和洗净气体供给步骤，向已供给上述HF气体的上述基板供给至少含有NH₃气体的洗净气体。

本发明第二方面所述的基板处理方法，其特征在于，在第一方面所述的基板处理方法中，在上述HF气体供给步骤中，不供给H₂O气体。

本发明第三方面所述的基板处理方法，其特征在于，在第一或第二方面所述的基板处理方法中，上述基板具有形成于上述第一氧化膜上、且被上述第二氧化膜覆盖的含硅层，上述第二氧化膜使上述含硅层部分露出，上述含硅层在上述HF气体供给步骤前被蚀刻。

为了实现上述目的，本发明第四方面所述的基板处理方法是，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理的基板处理方法，其特征在于，包括：HF气体供给步骤，向上述基板供给HF气体；和基板加热步骤，对已供给上述HF气体的上述基板进行加热。

本发明第五方面所述的基板处理方法，其特征在于，在第四方面所述的基板处理方法中，在上述基板加热步骤中，在N₂气氛围下，对上述基板进行加热。

本发明第六方面所述的基板处理方法，其特征在于，在第四方面或第五方面所述的基板处理方法中，在上述基板加热步骤中，将上述基板加热至150℃以上。

为了实现上述目的，本发明第七方面所述的基板处理装置是，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，包括：HF气体供给装置，向上述基板供给HF气体；和洗净气体供给装置，向已供给上述HF气体的上述基板供给至少含有NH₃气体的洗净气体。

为了实现上述目的，本发明第八方面所述的基板处理装置是，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，包括：HF气体供给装置，向上述基板供给HF气体；和基板加热装置，对已供给上述HF气体的上述基板进行加热。

发明效果