[发明专利]静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种静电放电保护元件，该静电放电保护元件包括：

第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第三TFT，每一个薄膜晶体管都具有栅极、源极和漏极；

其中第一TFT的漏极和第三TFT的栅极电连接，并且第二TFT的源极和第三TFT的栅极电连接；

其中第一TFT的栅极和源极电连接到第一阵列线，并且第二TFT的栅极和漏极电连接到第二阵列线；

其中第三TFT的源极电连接到所述第一阵列线，并且第三TFT的漏极电连接到所述第二阵列线；并且

其中每一个TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层。

2.根据权利要求1的静电放电保护元件，其中，所述有机半导体材料包括并五苯、铜酞菁、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基或它们的衍生物中的一种。

3.根据权利要求1的静电放电保护元件，其中，所述第一阵列线包括数据线或选通线，并且所述第二阵列线包括公共电压线。

4.根据权利要求1的静电放电保护元件，其中，每一个TFT还包括将所述有机半导体层与栅极隔开的有机绝缘层以及在所述有机半导体层下面并通过缓冲层与其隔开的光阻挡层。

5.根据权利要求4的静电放电保护元件，其中，每一个TFT还包括所述有机绝缘层和栅极之间的辅助电极。

6.根据权利要求4的静电放电保护元件，其中，源极和漏极、栅极以及辅助电极包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)或钼(Mo)中的一种。

7.根据权利要求4的静电放电保护元件，其中，所述光阻挡层包括具有3.5或更高光密度的铬氧化物(CrO_x)、铬(Cr)或碳基材料中的一种。

8.一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：

设置在基板上的多条选通线和多条数据线，以及由所述选通线和所述数据线的交叉点限定的单位像素，这些单位像素位于显示区中；

其中，每一个单位像素都包括像素有机薄膜晶体管(TFT)；

连接到所述像素有机TFT的像素电极；

基板的非显示区中的公共电压线；

所述非显示区中的多个静电放电(ESD)保护元件，每一个ESD保护元件都电耦合到所述数据线或所述选通线以及所述公共电压线，其中，每一个ESD保护元件包括：第一ESD有机TFT、第二ESD有机TFT以及第三ESD有机TFT，每一个ESD有机TFT都具有栅极、源极和漏极；并且

其中，所述第一ESD有机TFT和所述第二ESD有机TFT并联连接，并且所述第三ESD有机TFT连接在所述第一ESD有机TFT和所述第二ESD有机TFT之间。

9.根据权利要求8的液晶显示装置，其中：

所述第一ESD有机TFT的漏极和第三ESD有机TFT的栅极电连接，并且所述第二ESD有机TFT的源极和所述第三ESD有机TFT的栅极电连接；

所述第一ESD有机TFT的栅极和源极电连接到所述选通线或所述数据线之一，并且所述第二ESD有机TFT的栅极和漏极电连接到所述公共电压线；

所述第三ESD有机TFT的源极电连接到所述选通线或所述数据线，并且所述第三ESD有机TFT的漏极电连接到所述公共电压线；并且

每一个ESD有机TFT都包括设置在源极和漏极之间的有机半导体层。

10.根据权利要求8的液晶显示装置，其中，所述公共电压线围绕所述显示区的周边设置在所述基板上。

11.根据权利要求8的液晶显示装置，其中，连接到所述选通线的每一个ESD保护元件电连接在该选通线和所述公共电压线之间，并且连接到所述数据线的每一个ESD保护元件电连接在该数据线和所述公共电压线之间。

12.根据权利要求8的液晶显示装置，其中，所述数据线或所述选通线之一设置在所述液晶显示装置的与所述公共电压线相同的层中。