[发明专利]电子结构及形成介质膜的方法

权利要求书

1.一种形成包括Si，C，H和O原子的介质膜的方法，包括：

在反应室中提供衬底；

在所述反应室中流入至少一种前体，其中所述至少一种前体是环碳硅烷或氧碳硅烷；以及

在所述衬底上沉积介质膜。

2.根据权利要求1的方法，还包括向所述至少一种前体添加气体流，所述气体包括O₂，NH₃，CO，CO₂，N₂O，O₃，N₂和惰性气体中的至少一种。

3.根据权利要求1的方法，其中所述衬底包括由金属导体区域和介质区域构成的顶表面。

4.根据权利要求1的方法，其中所述环碳硅烷或氧碳硅烷包括：1，1-二甲基-1-硅杂环戊烷，1，3-二甲硅烷基环丁烷，甲基-1-硅杂环戊烷，硅杂环戊烷，硅杂环丁烷，甲基硅杂环丁烷，硅杂环己烷，甲基硅杂环己烷，四甲基-二硅杂-呋喃，二硅杂-呋喃，上述环前体的甲氧基衍生物，或包含1、2、3或4R基团的二硅杂-呋喃的衍生物，其中R选自甲基，乙基，乙烯基，丙基，烯丙基和丁基。

5.根据权利要求1的方法，其中所述环碳硅烷包括不饱和环并且包括1，1-二乙氧基-1-硅杂环戊烯，1，1-二甲基-3-硅杂环戊烯，1，1-二甲基-1-硅杂环戊-3-烯，1-硅杂-3-环戊烯或乙烯基甲基硅杂环戊烯，或上述环前体的甲氧基衍生物。

6.根据权利要求1的方法，还包括添加烃前体流。

7.根据权利要求6的方法，其中所述烃前体包括二环庚二烯，己二烯和双官能二烯烃分子中的一种。

8.根据权利要求1的方法，还包括选自烷氧基硅烷和环硅氧烷的SiCOH基架前体。

9.根据权利要求8的方法，其中在反应室中的碳硅烷或氧碳硅烷前体与SiCOH基架前体的比率R1决定SiCOH膜中Si-R-Si桥连碳的浓度，并且R1在从0.01到100的范围内。

10.根据权利要求1的方法，还包括在所述沉积步骤后执行高能处理步骤，所述高能处理包括热能，UV光，电子束辐射，化学能或其组合。

11.一种形成包括Si，C，H和O原子的介质膜的方法，包括：

在反应室中提供至少第一前体和第二前体，其中所述前体的至少一种是烃成孔剂并且所述前体的另一种是环碳硅烷或氧碳硅烷；

沉积包括第一相和第二相的膜；以及

从所述膜除去所述成孔剂以提供多孔介质膜。

12.一种形成包括Si，C，N和H原子的介质膜的方法，包括：

在反应室中提供衬底；

在所述反应室中流入至少一种前体，所述至少一种前体是在具有Si和C原子的环结构中包含至少一个N原子的环化合物；以及

从所述至少一种前体沉积包括Si，C，N和H原子的介质膜。

13.根据权利要求12的方法，还包括向所述至少一种前体添加气体流，所述气体包括NH₃，CO，CO₂，O₂，N₂O，O₃，N₂和惰性气体中的至少一种。

14.根据权利要求12的方法，其中所述环前体是2，2，5，5-四甲基-2，5-二硅杂-1-氮杂环戊烷或相关的氮杂环戊烷。

15.根据权利要求12的方法，还包括添加液体或气体烃前体流。

16.根据权利要求15的方法，其中所述烃前体包括二环庚二烯，己二烯和双官能二烯烃分子中的一种。

17.根据权利要求12的方法，还包括利用热能，UV光，电子束辐射，化学能或其组合执行高能处理步骤。

18.根据权利要求12的方法，其中所述SiCNH膜包括在约5和约40原子百分比之间的Si；在约5和约50原子百分比之间的C；在0和约50原子百分比之间的N；以及在约10和约55原子百分比之间的H。