[发明专利]激光加工方法和芯片

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于，

通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线，在所述加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域，

包括：

沿着所述切割预定线，形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域的工序；

沿着所述切割预定线，形成位于所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的第3改质区域的工序。

2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

在形成所述第1改质区域和第2改质区域的工序中，

沿着所述切割预定线形成第1改质区域，

在形成所述第1改质区域之后，沿着所述切割预定线，形成位于所述第1改质区域与在所述加工对象物中激光入射的激光入射面之间的第2改质区域。

3.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，

包括：

在形成所述第3改质区域之后，沿着所述切割预定线，形成位于所述第2改质区域与所述第3改质区域之间的第4改质区域的工序。

4.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。

5.如权利要求3所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。

6.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，

包括：

以所述改质区域作为切割的起点，沿着所述切割预定线切割所述加工对象物的工序。

7.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

在形成所述第3改质区域的工序中，

至少产生跨过所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的割裂。

8.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，

沿着所述切割预定线的大致全体形成所述第3改质区域。

9.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，

沿着所述切割预定线的一端部分形成所述第3改质区域。

10.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，

在所述第1改质区域和所述第2改质区域中的，偏靠所述加工对象物中的激光入射的激光入射面附近的一方的改质区域侧，形成所述第3改质区域。

11.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。

12.一种芯片，其特征在于，

具有大致平行于厚度方向的侧面，

在所述侧面上形成有：

在所述厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域；

位于所述第1改质区域和所述第2改质区域之间，在所述厚度方向的长度短于所述第1改质区域和所述第2改质区域的第3改质区域；

至少跨过所述第1改质区域和所述第2改质区域之间，并相对于所述厚度方向倾斜地延伸的华纳线。

13.如权利要求12所述的芯片，其特征在于，

还具备功能元件，所述改质区域包括形成在半导体材料中的熔融处理区域。