[发明专利]液晶显示器及其制造方法有效
申请号: | 200710126973.X | 申请日: | 2007-07-02 |
公开(公告)号: | CN101097386A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 金相浩;金真焕;张大贤 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G03F7/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟;迟军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示设备,更具体地说,涉及液晶显示器及其制造方法。
背景技术
在液晶显示器中,在滤色器基板与阵列基板之间形成有具有各向异性介电常数特性的液晶层。当对液晶材料施加电场时,液晶材料的分子排列会随电场的强度而变化,以使光透过滤色器基板。对透过滤色器基板的光的量进行控制,从而显示期望的图像。
包括薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)在内的液晶显示器通常使用薄膜晶体管作为开关器件。根据用于驱动液晶的电场的方向,将液晶显示器分类成面内切换(IPS)模式液晶显示器和扭转向列(TN)模式液晶显示器。在IPS模式液晶显示器中,沿水平方向施加电场。在TN模式液晶显示器中,沿垂直方向施加电场。
通过淀积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺等来制造液晶显示器。光刻工艺包括对光刻胶膜的涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺以及刻蚀工艺。
具体地说,通过淀积薄膜然后使用掩模执行数次光刻工艺,来形成作为液晶显示器的下基板的阵列基板。因此,在光刻工艺过程中会出现临界尺寸(CD)变化。由于CD变化,会在阵列基板上频繁地出现瑕疵。
这些瑕疵会导致像素电极与公共电极之间的CD变化。这些电极之间的CD变化会导致像素电极与公共电极之间的场差,从而导致液晶显示器的亮度的不均匀性。
发明内容
在一个方面中,提供了一种液晶显示器,该液晶显示器包括:彼此面对的上基板和下基板;设置在所述下基板上、选通线与数据线的交叉处的薄膜晶体管,所述选通线与所述数据线按直角相交叉;设置在由所述选通线与所述数据线限定的像素区中的像素电极;以及钝化层,其覆盖所述下基板的整个表面并且包括在其预定部分上的、具有高度差表面的开口,沿着所述开口的所述高度差表面设置有凹凸图案。
所述凹凸图案可以呈半圆形、梯形、矩形以及三角形中的一种形状。
所述液晶显示器还可以包括位于所述开口的中央的阻挡部(barrier)。
所述阻挡部具有形状为半圆形、梯形、矩形以及三角形中的一种的高度差表面。
所述开口可以具有2.0-2.3μm的高度差。
形成有所述开口的所述预定部分可以是用于接触所述薄膜晶体管和所述像素电极的区域。
形成有所述开口的所述预定部分可以是用于将所述上基板与所述下基板装配起来的密封剂的形成区。
形成有所述开口的所述预定部分可以是连接到所述选通线和选通驱动电路的选通焊盘区。
形成有所述开口的所述预定部分可以是连接到所述数据线和数据驱动电路的数据焊盘区。
所述薄膜晶体管可以包括:与所述选通线分开的栅极;位于包括所述栅极的正面上的栅绝缘层;位于所述栅绝缘层的与所述栅极相对应的上部的半导体层;以及彼此相隔开、其间具有所述半导体层的源极与漏极。
在另一方面中,提供了一种制造液晶显示器的方法,该方法包括以下步骤:在下基板上形成选通线和数据线,使得所述选通线与所述数据线彼此交叉,并在所述选通线与所述数据线的交叉处形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管的整个表面上淀积钝化层;以及对所述钝化层进行构图以在所述钝化层的预定部分上形成具有高度差表面的开口,并沿着所述开口的所述高度差表面形成凹凸图案。
所述方法在所述形成所述凹凸图案的步骤之后还可以包括以下步骤:在所述钝化层上淀积透明导电材料;在所述透明导电材料上涂覆光刻胶;以及使用所述光刻胶作为掩模对所述透明导电材料进行构图,以在像素区中形成所述像素电极。
所述开口可以具有2.0-2.3μm的高度差。
所述凹凸图案可以具有半圆形、梯形、矩形以及三角形中的一种形状。
所述方法还可以包括以下步骤:在所述开口的中央形成阻挡部。
形成有所述开口的所述预定部分可以是用于接触所述薄膜晶体管和所述像素电极的区域。
形成有所述开口的所述预定部分可以是用以将上基板与所述下基板装配起来的密封剂的形成区。
形成有所述开口的所述预定部分可以是连接到所述选通线和选通驱动电路的选通焊盘区。
形成有所述开口的所述预定部分可以是连接到所述数据线和数据驱动电路的数据焊盘区。
所述在所述透明导电材料上涂覆所述光刻胶的步骤可以包括以下步骤:将所述光刻胶滴在所述透明导电材料上;和采用旋涂方法沿着所述钝化层的图案来涂覆所述光刻胶。
附图说明
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