[发明专利]振荡器、负电阻电路及其振荡方法无效
| 申请号： | 200710126980.X | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101102091A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 傅家煌 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/20 | 分类号： | H03B5/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振荡器 电阻 电路 及其 振荡 方法 | ||
1.一种振荡器，该振荡器包括：
电感电容槽电路；以及
负电阻电路，耦接于所述的电感电容槽电路，包括：
一对晶体管，该对晶体管分别包含第一端与第二端，且该对晶体管的第一端分别交叉耦接于该对晶体管的第二端；以及
一对压降产生器，分别耦接于所述的这对晶体管的第一端与第二端之间。
2.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述的这对晶体管包含直接或间接耦接于共同节点的第三端。
3.如权利要求2所述的振荡器，其特征在于，所述的这对晶体管为双极结晶体管，且所述的这对晶体管的第一、第二与第三端分别为基极、集电极与发射极。
4.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述的这对压降产生器为二极管、双极结晶体管或金属氧化物半导体晶体管。
5.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述的这对压降产生器为基极与集电极共同连接的双极结晶体管。
6.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述的这对压降产生器为栅极与漏极共同连接的金属氧化物半导体晶体管。
7.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述的这对压降产生器为双极结晶体管，所述的这对双极结晶体管的发射极与基极分别连接到所述的这对晶体管的第一端与第二端而集电极共同连接到高于基极电压的偏压电压。
8.一种负电阻电路的振荡方法，该方法包括：
提供包含第一端与第二端的一对晶体管，且该对晶体管的第一端交叉耦接于该对晶体管的第二端；
将一对压降产生器分别安插在所述的这对晶体管的第一端与所述的这对第二端之间；以及
在所述的这对晶体管的第一端与第二端之间产生压降。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的这对压降产生器为二极管、双极结晶体管或金属氧化物半导体晶体管。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的这对压降产生器为基极与集电极共同连接的双极结晶体管。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的这对压降产生器为栅极与漏极共同连接的金属氧化物半导体晶体管。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的这对压降产生器为双极结晶体管，所述的这对双极结晶体管的发射极与基极分别连接到所述的这对晶体管的第一端与第二端而集电极共同连接到高于基极电压的偏压电压。
13.一种负电阻电路，该电路包括：
一对晶体管，分别包含第一端与第二端，其中该对晶体管的第一端交叉耦接于该对晶体管的第二端；以及
一对压降产生器，分别耦接在所述的这对晶体管的第一端与第二端之间。
14.如权利要求13所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对晶体管包含直接或间接耦接于共同节点的第三端。
15.如权利要求14所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对晶体管为双极结晶体管，且所述的这对晶体管的第一、第二与第三端分别为基极、集电极与发射极。
16.如权利要求13所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对压降产生器为二极管、双极结晶体管或金属氧化物半导体晶体管。
17.如权利要求13所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对压降产生器为基极与集电极共同连接的双极结晶体管。
18.如权利要求13所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对压降产生器为栅极与漏极共同连接的金属氧化物半导体晶体管。
19.如权利要求13所述的负电阻电路，其特征在于，所述的这对压降产生器为双极结晶体管，所述的这对双极结晶体管的发射极与基极分别连接到所述的这对晶体管的第一端与第二端且集电极共同连接到高于基极电压的偏压电压。
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