[发明专利]发光元件、发光装置和电子装置有效
申请号: | 200710127179.7 | 申请日: | 2007-07-04 |
公开(公告)号: | CN101101975A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 铃木恒徳;濑尾哲史;野村亮二 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电子 | ||
1.一种发光元件,包含:
第一电极;
第二电极;
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;以及
位于所述第二电极和所述发光层之间的第一层,
其中,所述第一层包含:
具有载流子传输特性的第一有机化合物;以及
用于降低所述第一有机化合物的载流子传输特性的第二有机化合物。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述第一层中所述第一有机化合物的重量比例大于所述第二有机化合物的重量比例。
3.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述载流子为电子,
所述第一有机化合物的最低空分子轨道能级和所述第二有机化合物的最低空分子轨道能级之间的差小于0.3eV。
4.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述载流子为电子,
所述第一有机化合物为金属络合物,
所述第二有机化合物为芳香胺化合物。
5.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述载流子为空穴,
所述第一有机化合物的最高占据分子轨道能级和所述第二有机化合物的最高占据分子轨道能级之间的差小于0.3eV。
6.根据权利要求1所述的发光元件,
其中,所述载流子为空穴,
所述第一有机化合物为芳香胺化合物,
所述第二有机化合物为金属络合物。
7.根据权利要求1所述的发光元件,还包含:
位于所述第一电极和所述发光层之间的第二层,
其中,所述第二层包含:
具有载流子传输特性的第三有机化合物;以及
用于减少所述第三有机化合物的载流子传输特性的第四有机化合物。
8.根据权利要求7所述的发光元件,
其中,所述第一层中第一有机化合物的重量比例大于所述第二有机化合物的重量比例,所述第二层中所述第三有机化合物的重量比例大于所述第四有机化合物的重量比例。
9.一种发光元件,包含:
第一电极;
第二电极;
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;以及
位于所述第二电极和所述发光层之间的第一层,
其中,所述第一层包含:
第一有机化合物;以及
第二有机化合物,
其中,所述第一有机化合物具有电子传输特性和空穴传输特性中的一种,
所述第二有机化合物具有电子传输特性和空穴传输特性中的另一种。
10.根据权利要求9所述的发光元件,
其中,所述第一有机化合物具有电子传输特性,
所述第二有机化合物具有空穴传输特性,
所述第一层中所述第一有机化合物的重量比例大于所述第二有机化合物的重量比例,
所述第一电极为阳极而所述第二电极为阴极。
11.根据权利要求10所述的发光元件,
其中,所述第一有机化合物的最低空分子轨道能级和所述第二有机化合物的最低空分子轨道能级之间的差小于0.3eV。
12.根据权利要求10所述的发光元件,
其中,所述第一有机化合物为金属络合物,
所述第二有机化合物为芳香胺化合物。
13.根据权利要求10所述的发光元件,
其中,所述发光层具有电子传输特性。
14.根据权利要求10所述的发光元件,
其中,所述发光层包含第三有机化合物和第四有机化合物,
所述发光层中所述第三有机化合物的重量比例大于所述第四有机化合物的重量比例,
所述第三有机化合物具有电子传输特性。
15.根据权利要求14所述的发光元件,
其中,所述第一有机化合物和所述第三有机化合物的结构互不相同。
16.根据权利要求10所述的发光元件,
其中,当所述第一有机化合物的偶极距大小为P1而所述第二有机化合物的偶极距大小为P2时,满足关系P1/P2≥3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710127179.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:稀疏分布的彩色数字图像的噪声清除
- 下一篇:触摸传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择