[发明专利]半导体封装、及系统级封装模块的制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基底，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，一组接合线栓位于该基底的第二表面的接合垫上；

第一半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第一半导体芯片的第一表面通过焊锡凸块贴合该基底的第二表面；

填充材料，设置于该第一半导体芯片和该基底间，其中填充材料将该焊锡凸块封定；

第二半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第二半导体芯片的第一表面贴合该第一半导体芯片的第二表面；及

一组接合线，电性耦接该第二半导体芯片和该基底上的该组接合线栓。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中该填充材料通过毛细动作填入该第一半导体芯片和该基底的间隙，且该填充材料不溢流覆盖和/或重叠该组接合线栓的顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一半导体芯片边缘和该组接合线栓中的一个接合线栓的距离大体上介于0.1mm～0.2mm。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中该组接合线栓中的一个接合线栓的高度大体上介于10μm～30μm。

5.一种半导体封装，包括：

基底，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，多个接合线栓位于该基底的第二表面的接合垫上，其中该多个接合线栓包括第一组接合线栓和第二组接合线栓；

第一半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第一半导体芯片的第一表面通过粘着物贴合该基底的第二表面；

第二半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第二半导体芯片的第一表面贴合该第一半导体芯片的第二表面；及

第一组接合线，电性耦接该第一半导体芯片和该基底上的该第一组接合线栓；及

第二组接合线，电性耦接该第二半导体芯片和该基底上的第二组接合线栓。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其中该粘着物不溢流覆盖和重叠该多个接合线栓的顶部表面。

7.如权利要求5所述的半导体封装，其中该多个接合线栓中的一个接合线栓的高度大体上介于10μm～30μm。

8.如权利要求5所述的半导体封装，还包括封装体，封装该第一和该第二半导体芯片、该第一和第二组接合线和该第一和第二组接合线栓。

9.一种系统级封装模块的制造方法，包括：

提供基底，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面；

形成一组接合线栓于该基底的第二表面的接合垫上；

提供第一半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第一半导体芯片的第一表面通过焊锡凸块贴合该基底的第二表面；

将填充材料填充于该第一半导体芯片和该基底间，并将该焊锡凸块封定；

提供第二半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第二半导体芯片的第一表面贴合该第一半导体芯片的第二表面；及

线接合该第二半导体芯片和该基底上的接合线栓。

10.如权利要求9所述的系统级封装模块的制造方法，其中该填充材料通过毛细动作填入该第一半导体芯片和该基底的间隙，且该填充材料不溢流覆盖和重叠该组接合线栓的顶部表面。

11.一种系统级封装模块的制造方法，包括：

提供基底，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面；

形成第一组接合线栓和第二组接合线栓于该基底的第二表面的接合垫上；

提供第一半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第一半导体芯片的第一表面通过粘着物贴合该基底的第二表面；

提供第二半导体芯片，具有第一表面和相对该第一表面的第二表面，其中该第二半导体芯片的第一表面贴合该第一半导体芯片的第二表面；

利用第一组接合线，线接合该第一半导体芯片和该基底上的该第一组接合线栓；及

利用第二组接合线，线接合该第二半导体芯片和该基底上的该第二组接合线栓。

12.如权利要求11所述的系统级封装模块的制造方法，其中该粘着物不溢流覆盖和重叠该多个接合线栓的顶部表面。