[发明专利]金属有机化合物的化学气相淀积设备无效

专利信息
申请号: 200710127400.9 申请日: 2007-07-05
公开(公告)号: CN101100743A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 上野昌纪;上田登志雄;高须贺英良 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/448;H01L21/365
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;黄启行
地址: 日本大阪府大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属 有机化合物 化学 气相淀积 设备
【权利要求书】:

1.用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备,包括:

用于加热所述衬底并且具有用于保持所述衬底的保持表面的加热元件;和

用于引入所述反应性气体到所述衬底的气流道,其中

具有被保持面对着所述气流道的内部的保持表面的所述加热元件是可旋转的,并且

沿着所述反应性气体的流向的所述气流道的高度在从用于将所述衬底保持在所述保持表面的位置的上游侧端部到所述保持表面的任意的位置保持定值,并且从所述任意的位置到下游侧是单调递减的。

2.根据权利要求1的金属有机化合物化学气相淀积设备,其中所述气流道的高度的单调递减终止于位于所述衬底保持位置的下游侧端部向上2%处位置以下的一个位置处。

3.根据权利要求2的金属有机化合物化学气相淀积设备,其中所述气流道在高度上的单调递减终止于位于所述下游侧端部的位置和位于所述下游侧端部的位置的下游侧的位置中的任一处。

4.根据权利要求1的金属有机化合物化学气相淀积设备,其中,在所述保持表面上,沿着宽度方向的所述气流道的高度从每个末端到所述保持表面的中心部单调递减。

5.根据权利要求4的金属有机化合物化学气相淀积设备,其中沿着宽度方向的所述气流道的高度以曲形方式单调递减。

6.根据权利要求1的金属有机化合物化学气相淀积设备,其中

所述气流道在所述任意位置的上游侧具有瓶颈部分,并且

在所述瓶颈部分,沿着所述反应性气体的流向的所述气流道的高度一旦递减后就又递增。

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