[发明专利]有机EL装置的制造方法以及电子仪器无效
申请号: | 200710127427.8 | 申请日: | 2007-07-05 |
公开(公告)号: | CN101101976A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 三矢将之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 以及 电子仪器 | ||
技术领域
本发明涉及有机EL装置的制造方法以及电子仪器。
背景技术
开发有整齐配置了有机EL元件的有机EL装置。有机EL元件在阳极和阴极之间具有有机发光层,从阳极供给的空穴和从阴极供给的电子在发光层再结合而发光。另外,为了提高从阳极向发光层的空穴注入效率,在阳极的表面上形成有空穴注入层(例如,参照专利文献1~3)。
[专利文献1]特开2001-203081号公报
[专利文献2]特开2002-175887号公报
[专利文献3]特开2005-302443号公报
一般而言,有机EL装置的发光寿命短,从而追求发光寿命的进一步长寿命化。
发明内容
本发明的目的是提供一种可提高发光寿命的有机EL装置的制造方法以及电子仪器。
为了实现所述目的,本发明一种有机EL装置的制造方法,其将具有至少含有空穴注入层以及发光层的多个有机层和夹持该有机层的阴极以及阳极的有机EL元件设置在基板上,其特征在于,具有下述工序:在所述基板上形成所述阳极的阳极形成工序;用含有有机材料和金属元素的空穴注入层形成材料在所述阳极上形成所述空穴注入层的空穴注入层形成工序;在所述空穴注入层上形成所述发光层的发光层形成工序;在所述发光层上形成所述阴极的阴极形成工序。
本发明者们发现,在由ITO(Indium Tin Oxide)构成的阳极上形成空穴注入层时阳极内的铟元素扩散到空穴注入层内,且发现,通过空穴注入层含有铟元素,空穴注入层的驱动电压下降,有机EL装置长寿命化。进而发现,不限定为铟元素,其他的金属元素也可得到同样的效果。
因此,在本发明中,在基板上形成阳极,并使用含有具有空穴注入性的有机材料和金属元素的空穴注入层形成材料而在阳极上形成空穴注入层,所以,在含有金属元素的状态下形成空穴注入层。由此,可降低空穴注入层的驱动电压,可使有机EL装置长寿命化。
此外,优选在所述空穴注入层形成材料中,含有所述金属元素的盐。
根据本发明,由于在空穴注入层形成材料中含有金属元素的盐,所以与使空穴注入层中在单体状态下含有不稳定的金属元素的情况相比,可容易地含有金属元素。
此外,优选所述金属元素是铟元素以及镁元素中的至少一种。
由此,可降低空穴注入层的驱动电压,可使有机EL装置长寿命化,特别是镁单体或者镁盐具有对人体和环境安全性高的优点。
此外,优选所述有机EL元件在所述空穴注入层和所述发光层之间具有中间层,在所述空穴注入层形成工序和所述发光层形成工序之间,还具有在所述空穴注入层上形成所述中间层的中间层形成工序。
通过设置中间层,可实现有机EL装置的长寿命化。作为该中间层的材料,优选使用有机材料。
此外,优选所述发光层由发红色光的发光性材料构成。
发红色光的发光性材料即便在有机EL元件内混入金属元素等杂质时,发光性降低等不良情况也极少。因此,不会对发光产生影响,可使有机EL装置长寿命化。
此外,优选所述有机EL元件设有多个,所述多个有机EL元件排列为矩阵状,构成所述多个有机EL元件的所述发光层含有发出第1波长的光的第1发光层、和发出与所述第1波长不同的第2波长的光的第2发光层,设有所述第1发光层的所述有机EL元件的所述空穴注入层、和设有所述第2发光层的所述有机EL元件的所述空穴注入层中,所含有的金属元素的种类不同。
在本发明中,有机EL元件设有多个,多个有机EL元件排列为矩阵状,构成多个有机EL元件的发光层含有发出第1波长的光的第1发光层、和发出与该第1波长不同的第2波长的光的第2发光层,设有第1发光层的有机EL元件的空穴注入层、和设有第2发光层的有机EL元件的空穴注入层中,所含有的金属元素的种类不同,因此,可根据发光层的种类而含有最佳的金属元素。由此,可更有效地使有机EL装置长寿命化。
此外,优选所述有机EL元件设有多个,所述多个有机EL元件排列为矩阵状,构成所述多个有机EL元件的所述发光层含有发出第1波长的光的第1发光层、和发出与所述第1波长不同的第2波长的光的第2发光层,设有所述第1发光层的所述有机EL元件的所述空穴注入层、和设有所述第2发光层的所述有机EL元件的所述空穴注入层中,所含有的金属元素的浓度不同。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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