[发明专利]用于等离子体处理的方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理的方法，包括：

在等离子体处理室中设置衬底；

使气体混合物流入所述室中；

向电极施加射频功率以在所述室中形成等离子体；

收集表征所述电极直流偏压的量度；和

响应于收集到的所述量度，对向所述电极施加射频功率的施加参数进行调整。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底具有图案化结构，所述图案化结构具有大于50,000的天线比率。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在处理后对所述衬底进行监测以获得表征处理的数据；和

将获得的所述数据与收集的所述量度相关联，以确定对所述施加参数的调整。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述施加参数的步骤还包括：

调整射频功率上升率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述射频功率上升率在约20瓦/秒到约5000瓦/秒之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述施加参数的步骤还包括：

调整射频功率上升时间长度。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述衬底上沉积介质膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述介质膜是无定形碳膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底具有图案化结构，所述图案化结构具有大于700,000的天线比率。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述流入气体混合物的步骤还包括：

使含有碳氢化合物和至少一种惰性气体的所述气体混合物流入所述室中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述至少一种惰性气体选自由Ar、He、H₂、N₂和NH₃构成的组。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述碳氢化合物选自由C₃H₆、C₃H₄、C₃H₈、C₄H₁₀、C₄H₈、C₄H₆和C₂H₂构成的组。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，收集表征所述电极直流偏压量度的步骤还包括：

感测布置在所述处理室中的喷头的直流偏压。

14.一种用于等离子体处理的方法，包括：

获取多次等离子体产生事件中的直流偏压信息；和

根据所述直流偏压信息，确定等离子体产生过程中施加射频功率所用的施加参数。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述获取直流偏压信息的步骤还包括：

在所述等离子体产生事件中的至少一次事件过程中，将衬底暴露于等离子体，所述衬底具有高于约50,000的天线比率。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述获取直流偏压信息的步骤还包括：

在所述等离子体产生事件中的至少一次事件过程中，将衬底暴露于等离子体，所述衬底具有高于约700,000的天线比率。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述等离子体产生事件中的至少一次事件过程中，对暴露于等离子体的至少一个衬底进行监测，以获取表征处理的数据；和

将获得的监测数据和所述直流偏压信息相关联，以确定经优化的施加参数。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，确定所述施加参数的步骤还包括：

调整射频功率上升时间长度。