[发明专利]覆晶封装体及其制造方法无效
申请号: | 200710127600.4 | 申请日: | 2007-07-05 |
公开(公告)号: | CN101339930A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 萨文志 | 申请(专利权)人: | 启萌科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/34;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装体,特别是涉及一种覆晶封装体。
背景技术
由于晶片技术不断地向高频操作及多功能发展,接脚(pin)数相对增加,传统的打线接合(wire bonding)封装已无法满足电性的要求。覆晶接合(flip-chip bonding)已广泛应用于晶片封装,将晶片的主动面(activesurface)朝向基板,藉由锡铅焊球(solder ball)作为晶片与基板连接的封装技术。覆晶接合除了大幅度提高晶片接脚的密度之外,更可降低杂讯的干扰、强化电性效能、提高散热能力及缩减封装体积。
图1为一种现有现有习知的覆晶封装体1的示意图。请参阅图1所示,覆晶封装体1包含一球格阵列(Ball Grid Array,BGA)基板11、一晶片12、一封胶(underfill)13以及多数个焊球14。其中,晶片12是以覆晶接合方式,藉由上述焊球14而与球格阵列基板11电性连接。在晶片12与球格阵列基板11之间形成一空隙,为了保护电性连接的结构,因此空隙内填充封胶13,完成覆晶封装体1的制作。
对于覆晶封装体1而言,由于封胶13包覆晶片12的主动面、上述焊球14及球格阵列基板11的表面,导致运作过程产生的废热不易消散。另外,为了满足覆晶接合制程中的压合步骤需求,晶片12本身厚度不能太薄,亦使得主动面所产生的废热,不易经由晶片12本身向外辐射;同时球格阵列基板11的厚度与材料特性更不易让晶片12产生的废热,经由球格阵列基板11本身向外传递。因此覆晶封装体1的架构潜藏散热效能不佳的问题,会影响晶片12的可靠度及使用寿命,更降低覆晶封装体1的品质。
由此可见,上述现有的覆晶封装体在制造方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般制造方法又没有适切的加工方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种散热性佳的覆晶封装体及其制造方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的覆晶封装体及其制造方法存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的覆晶封装体及其制造方法,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于,克服现有的覆晶封装体及其制造方法存在的缺陷,而提供一种新的覆晶封装体及其制造方法,所要解决的技术问题是使其提高散热效能,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种覆晶封装体,该覆晶封装体包含:一玻璃电路板,其表面是具有一电路层;以及至少一晶片,是以覆晶接合方式电性连接于该电路层,且该晶片及/或玻璃电路板的厚度小于200微米。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的覆晶封装体,其更包含:至少一第一散热元件及/或至少一第一导热元件,是设置于该晶片相对于该玻璃电路板的一侧。
前述的覆晶封装体,其更包含:至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件,是设置于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。
前述的覆晶封装体,其中所述的第一散热元件及该第二散热元件是选自散热片、导热膜、风扇及冷却装置所构成的群组。
前述的覆晶封装体,其中所述的第一导热元件及该第二导热元件为热管。
前述的覆晶封装体,其更包含:至少一第二散热元件及/或至少一第二导热元件,是设置于该玻璃电路板相对于该晶片的一侧。
前述的覆晶封装体,其中所述的晶片是以异方性导电膜及多数个焊球的方式与该玻璃电路板电性连接。
前述的覆晶封装体,其中所述的晶片是以非导电颗粒膏配合激光熔接的方式与该玻璃电路板电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种覆晶封装体的制造方法,该制造方法包含下列步骤:提供一玻璃电路板,该玻璃电路板的表面具有一电路层;以覆晶接合方式将至少一晶片电性连接于该电路层;以及减薄该晶片及/或玻璃电路板,使该晶片及/或玻璃电路板的厚度小于200微米。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的制造方法,其中所述的减薄步骤是以该玻璃电路板为载台。
前述的制造方法,其中所述的减薄方式为研磨或蚀刻。
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