[发明专利]磁阻效应元件的制造方法及磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1磁性层的工序；

在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；

在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；

在所述所形成的功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；

对所述所形成的第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及

在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。

2.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1磁性层的工序；

在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；

在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；

在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；

对所述所形成的第2金属层和功能层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及

在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。

3.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1磁性层的工序；

在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；

在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；

对所述所形成的第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；

在所述所形成的电流收窄层上形成以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；以及

在所述功能层上形成第2磁性层的工序。

4.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1磁性层的工序；

在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；

在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；

在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；

在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；

对所述所形成的第2功能层和第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及

在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。

5.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成第1磁性层的工序；

在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；

在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；

在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；

对所述所形成的第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；

在所述电流收窄层上形成以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；以及

在所述第2功能层上形成第2磁性层的工序。