[发明专利]基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法有效
申请号: | 200710127899.3 | 申请日: | 2007-07-17 |
公开(公告)号: | CN101145502A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 宫胜彦;藤原直澄;泉昭 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 冻结 方法 以及 | ||
1.一种基板处理装置,具有冻结形成在基板表面上的液膜的功能,其特征在于,
具有:
基板保持装置,其以使形成了液膜的基板表面朝向上方的状态,将基板保持为大致水平形态,
冷却气体排放装置,其向在上述基板保持装置上保持的上述基板的表面,局部地排放冷却气体,该冷却气体的温度比构成上述液膜的液体的凝固点的温度低,
相对移动机构,其使上述冷却气体排放装置沿着上述基板表面相对于上述基板移动;
在从上述冷却气体排放装置排放上述冷却气体的同时,通过上述相对移动机构使上述冷却气体排放装置相对于上述基板移动,从而在整个上述基板表面生成冻结膜。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有旋转装置,该旋转装置使在上述基板保持装置上保持的上述基板旋转,
上述相对移动机构具有驱动装置,该驱动装置一边使其与上述基板表面相对一边驱动上述冷却气体排放装置,并使其在上述基板的旋转中心位置和上述基板的端缘位置之间移动。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
具有在上述基板表面形成上述液膜的功能,
还具有第一液膜形成装置,该第一液膜形成装置对由上述旋转装置旋转的上述基板的表面供给上述液体,从而在上述基板表面形成上述液膜。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述冷却气体排放装置具有在第一方向延伸的狭缝状的排放口,从该排放口以带状的方式排放上述冷却气体,
上述排放口在上述第一方向上的长度大于或等于上述基板表面的平面尺寸,
上述相对移动机构一边使上述冷却气体排放装置与上述基板表面相对,一边使与上述第一方向大致垂直,并且在与上述基板表面大致平行延伸的第二方向上相对于上述基板移动。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
具有在上述基板表面形成上述液膜的功能,
该基板处理装置还具有第二液膜形成装置,该第二液膜形成装置可相对上述基板沿着上述第二方向自由移动,并且相对上述冷却气体排放装置配置在上述第二方向的下游侧,沿着上述第一方向以带状的方式向上述基板表面供给上述液体,从而在上述基板表面形成上述液膜,
上述相对移动机构使上述第二液膜形成装置沿着上述基板表面相对上述基板移动。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
上述相对移动机构使上述第二液膜形成装置和上述冷却气体排放装置仅保持一定的间距整体地移动。
7.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有背面侧液膜形成装置,其在上述基板保持装置上保持的上述基板的背面形成背面侧液膜,
在从上述冷却气体排放装置排放上述冷却气体的同时,通过上述相对移动机构使上述冷却气体排放装置相对于上述基板移动,从而在冻结形成在上述基板表面侧的上述液膜生成表面侧冻结膜的同时,冻结上述背面侧液膜生成背面侧冻结膜。
8.如权利要求1~7中任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有膜除去装置,其从上述基板除去上述冻结膜。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
将上述冷却气体排放装置与上述膜除去装置容纳在同一处理腔室内。
10.一种液膜冻结方法,用于冻结形成在基板表面上的液膜,其特征在于,包括:
冷却气体排放工序,在该工序中,以使形成了液膜的基板表面朝向上方的状态将基板保持为大致水平形态,同时从冷却气体排放装置向上述基板的表面,局部的排放冷却气体,该冷却气体的温度比构成上述液膜的液体的凝固点的温度低;
相对移动工序,该工序与上述冷却气体排放工序一并进行,在该工序中,使上述冷却气体排放装置沿着上述基板表面相对于上述基板移动,从而在整个上述基板表面生成冻结膜。
11.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
液膜冻结工序,在该工序中,通过权利要求10所述的液膜冻结方法来冻结上述液膜;
膜除去工序,在上述液膜冻结工序之后,从上述基板表面除去上述冻结膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造