[发明专利]光记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种光记录介质，至少包括顺序层叠在基板一主面上的反射层、下介电层、记录层、上介电层和透光层，

其中波长在大于等于400nm且小于等于410nm范围中的光通过具有范围在大于等于0.84且小于等于0.86的数值孔径的光学系统会聚，接着由透光层一侧向记录层上照射，并由此记录和复制信息信号，

其中，下介电层包括第一下介电层和抑制构成第一下介电层的材料与构成反射层的材料反应的第二下介电层；以及

上介电层包括第一上介电层和抑制构成第一上介电层的材料与构成透光层的材料反应的第二上介电层，

其中第一上介电层的厚度为大于等于4nm且小于等于12nm。

2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中构成上介电层和下介电层的材料的消光系数k满足关系0＜k≤3。

3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中第一下介电层由硫化锌和氧化硅的混合物制成，而第二下介电层由氮化硅制成。

4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中第一上介电层由硫化锌和氧化硅的混合物制成，而第二上介电层由氮化硅制成。

5.根据权利要求1所述的光记录介质，其中记录层为相变记录层。

6.根据权利要求5所述的光记录介质，其中该相变记录层由SbTe基合金制成，而反射层由Ag基合金制成。

7.根据权利要求6所述的光记录介质，其中SbTe基合金包括Ge、Sb和Te，而Ag基合金包括Ag、Nd和Cu。

8.根据权利要求7所述的光记录介质，其中在该相变记录层中，Ge的含量为大于等于2原子百分比且小于等于8原子百分比，而Sb对Te的原子比例为大于等于3.4倍且小于等于4.0倍；以及

在反射层中，Nd的含量为大于等于0.4原子百分比且小于等于0.7原子百分比，Cu的含量为大于等于0.6原子百分比且小于等于0.9原子百分比。

9.根据权利要求7所述的光记录介质，其中在该相变记录层中，Ge的含量为大于等于2原子百分比且小于等于8原子百分比，而Sb对Te的原子比例为大于等于4.2倍且小于等于4.8倍；以及

在反射层中，Nd的含量为大于等于0.4原子百分比且小于等于0.7原子百分比，Cu的含量为大于等于0.6原子百分比且小于等于0.9原子百分比。

10.根据权利要求1所述的光记录介质，其中反射层的厚度为大于等于80nm且小于等于140nm；

第二下介电层的厚度为大于等于8nm且小于等于14nm；

第一下介电层的厚度为大于等于4nm且小于等于10nm；

记录层的厚度为大于等于8nm且小于等于16nm。

11.根据权利要求1所述的光记录介质，其中透光层包括透光片和用于将透光片粘结于基板的胶层。

12.根据权利要求11所述的光记录介质，其中该胶层由压敏胶制成。

13.根据权利要求11所述的光记录介质，其中该胶层由UV固化树脂制成。

14.一种制造光记录介质的方法，该光记录介质至少包括顺序层叠在基板一主面上的反射层、下介电层、记录层、上介电层和透光层，

其中波长在大于等于400nm且小于等于410nm范围中的光通过具有范围在大于等于0.84且小于等于0.86的数值孔径的光学系统会聚，接着由透光层一侧向记录层上照射，并由此记录和复制信息信号，该方法包括：

在基板的一主面上形成反射层；

第一下介电层和抑制构成第一下介电层的材料与构成反射层的材料反应的第二下介电层，由此形成下介电层；

在该下介电层上形成记录层；

第一上介电层和抑制构成第一上介电层的材料与构成透光层的材料反应的第二上介电层，由此形成上介电层；以及

在该上介电层上形成透光层，

其中，第一上介电层的厚度为大于等于4nm且小于等于12nm。

15.根据权利要求14所述的制造光记录介质的方法，其中构成上介电层和下介电层的材料的消光系数k满足关系0＜k≤3。

16.根据权利要求14所述的制造光记录介质的方法，其中第一下介电层由硫化锌和氧化硅的混合物制成，而第二下介电层由氮化硅制成。