[发明专利]反应室性能分析方法以及相关的性能分析系统无效
申请号: | 200710128381.1 | 申请日: | 2007-07-10 |
公开(公告)号: | CN101345183A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 何煜文;乐庆莉 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G01M19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 性能 分析 方法 以及 相关 系统 | ||
1.一种反应室性能分析方法,适用于晶片制造系统,其中该晶片制造系统具有至少一站台,该站台具有至少一机台,该机台包括多个反应室,该反应室性能分析方法包括下列步骤:
提供既定对照表,其中该既定对照表记录有关于该机台的机台参数数据,且该机台参数数据中有对应的反应室信息;
由第一界面输入欲检查的至少一站别或一机台选择;
依据该既定对照表以及选取的该站别或该机台,在该第一界面上产生至少一对应的显示结果;以及
利用该至少一显示结果,判别并分析这些反应室的性能。
2.如权利要求1所述的反应室性能分析方法,其中该于该第一界面上产生至少一对应的显示结果的步骤包括:
依据该选取的该站别或该机台,得到在制品数据;以及
依据该在制品数据以及该既定对照表,在该第一界面上产生该对应的显示结果。
3.如权利要求1所述的反应室性能分析方法,其中该输入该欲检查的机台选择或该反应室选择的步骤包括:
由该第一界面的选单区,输入欲检查的该机台选择或该站别选择。
4.如权利要求3所述的反应室性能分析方法,还包括:
提供树状列表,用以输入欲检查的该站别选择或该机台选择,其中该树状列表具有至少一站别选择项目、对应该站别选择项目的多机台选择项目以及对应该机台选择项目的多个反应室选择项目,并且该站别选择项目为这些机台选择项目的母节点,每一这些机台选择项目为这些对应反应室选择项目的母节点。
5.如权利要求4所述的反应室性能分析方法,还包括:
提供列表选择按钮于该第一界面上,以切换该站别或该机台的选择。
6.如权利要求5所述的反应室性能分析方法,其中该列表选择按钮具有第一选项以及第二选项,并且当该列表选择按钮为该第一选项时,隐藏这些反应室选择项目。
7.如权利要求1所述的反应室性能分析方法,还包括:
提供切换单元,以切换于该第一界面上的该显示结果。
8.如权利要求7所述的反应室性能分析方法,其中该利用该至少一晶片叠图,判别并分析这些反应室的性能的步骤还包括:
利用该切换单元,依序输出机台的这些反应室对应的这些显示结果于该第一界面上;以及
检视这些显示结果,以判别该机台的这些反应室是否失效。
9.如权利要求7所述的反应室性能分析方法,还包括:
预先储存该既定对照表于工程数据仓储伺服器中。
10.如权利要求1所述的反应室性能分析方法,其中这些显示结果为晶片叠图。
11.一种性能分析系统,用以分析晶片制造系统的性能,其中该晶片制造系统中有至少一站台,该站台有至少一机台,该机台包括多个反应室,该性能分析系统包括:
电子装置,该电子装置提供至少一第一界面,其中该第一界面具有第一区以及第二区,且该第一区用以指定至少一检查项目;以及
伺服器,该伺服器提供既定对照表,其中该既定对照表记录有关于该机台的机台参数数据,且该机台参数数据中有对应的反应室信息,
其中该性能分析系统依据使用者于该电子装置中的该第一界面的该第一区指定的该检查项目以及该伺服器中的该既定对照表,在该第一界面的该第二区上产生对应该检查项目的显示结果,并利用该显示结果,判别并分析该晶片制造系统的性能。
12.如权利要求11所述的性能分析系统,其中该电子装置依据该使用者指定的该检查项目,由该伺服器中得到在制品数据,并且依据该在制品数据以及该既定对照表,在该第一界面的该第二区上产生该对应该检查项目的显示结果。
13.如权利要求11所述的性能分析系统,其中该显示结果为晶片叠图。
14.如权利要求11所述的性能分析系统,其中该第一界面还包括切换单元,用以切换于该第二区上的该显示结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造