[发明专利]光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统

说明书

技术领域

[0001]本发明涉及一种光电转换器件以及一种制造光电转换器件和具有该光电转换器件的摄像系统的方法。

背景技术

[0002]在图像输入设备例如数字照相机、摄影机和图像阅读器以及用于其中的焦点检测设备中，使用包括光电转换元件的多个像素排列于其中的光电转换器件。这里光电转换器件包括例如所谓CCD型、双极晶体管型、电场效应晶体管型以及MOS型的光电转换器件。这里光电转换器件易于增加像素。随着像素面积减小，光电转换元件的面积趋向于减小。因此，处理更小电荷的必要性已经出现并且减小噪声的必要性已经出现。

[0003]日本专利申请公开2003-258229和2005-142503包括关于MOS型光电转换器件中的噪声的公开内容。日本专利申请公开2003-258229包括关于因MOS型光电转换器件的通道停止区中少数载流子的增加而产生的噪声的公开内容。

[0004]另外，日本专利申请公开2005-142503包括关于因通道停止区中少数载流子的增加而在相邻FD区之间产生的电场引起的漏电流的公开内容。这里，日本专利申请公开2005-142503使用通道停止区和浮动扩散区(在下文称作FD区)的排列设计噪声的减小。

[0005]另外，日本专利申请公开2001-230409包括关于用于保持一般半导体器件的隔离区中耐压的MOS晶体管结构的公开内容。

[0006]但是，因像素的进一步增加而引起的像素面积的减小伴随有元件排列的更低自由度。而且，隔离区中的细度偶尔也在除了通道停止区与FD区之间的区域之外的地点引起漏电流。另外，这里漏电流流到光电转换元件和FD区中以引起信号噪声比的退化。

[0007]因此，考虑到上述问题，本发明的目的在于获得一种减小在隔离区中产生的漏电流且信号噪声比提高的光电转换器件和摄像系统。

发明内容

[0008]本发明的光电转换器件是包括下列的光电转换器件：第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起形成光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电荷转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极；将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区；以及布置在隔离区上用于将电压施加到栅电极的布线；其中，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

[0009]本发明的其他特征和优点将从下面结合附随附图进行的描述中显然，其中类似的参考字符遍及所有附图指定相同或相似的部分。

[0010]包含于说明书中并构成说明书一部分的附随附图说明本发明的实施方案，并且与描述一起，用来说明本发明的原理。

[0011]本发明的更多特征将参考附加附图从下面实例实施方案的描述中变得明白。

附图说明

[0012]图1是第一实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

[0013]图2A是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

[0014]图2B是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

[0015]图2C是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

[0016]图2D是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

[0017]图3是光电转换器件的像素的一部分的示意平面图。

[0018]图4A举例说明光电转换器件的像素电路。

[0019]图4B举例说明图4A中说明的光电转换器件的驱动脉冲。

[0020]图5说明摄像系统的实例。

具体实施方式

[0021]本发明的光电转换器件以半导体区(晶体管的源极或漏极区)与光电转换元件相邻且隔离区位于其间的结构为特征。连接到传输晶体管的栅电极的布线布置在该隔离区上。这种结构以这里半导体区的隔离区一侧上具有低浓度的半导体区为特征。

[0022]本发明的构造可以减轻在隔离区的较低部中第一导电类型的半导体区与同光电转换元件相邻的第二导电类型的半导体区之间存在的电场，因此可以减小漏电流。因此，可以提供噪声减小且信号噪声比提高的光电转换器件。