[发明专利]磁阻效应元件的制造方法和磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，其特征在于，

当形成所述隔层时，

形成第一金属层，

在所述第一金属层上形成变换为所述绝缘层的第二金属层，

进行第一变换处理，将所述第二金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的所述金属层，

在通过所述第一变换处理所形成的所述绝缘层和所述金属层上形成变换为所述绝缘层的第三金属层，

进行第二变换处理，将所述第三金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的所述金属层。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，当形成所述隔层时，在通过所述第一变换处理所形成的所述绝缘层及所述金属层、和所述第三金属层之间形成第四金属层。

3.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第一变换处理和所述第二变换处理其中至少之一通过在包含氩气、氙气、氦气、氖气、和氪气其中至少之一的气体经过离子处理或等离子处理所得到的气体介质中，供给包含氧气和氮气其中至少之一的气体，并在经过所述离子处理的气体或经过所述等离子处理的气体的气体介质下，对所述第二金属层或所述第三金属层进行氧化处理和氮化处理其中至少之一来实施。

4.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第一变换处理和所述第二变换处理其中至少之一包括：

第一步骤，在将包含氩气、氙气、氦气、氖气、和氪气其中至少之一的气体经过离子处理或等离子处理所得到的气体介质中，供给包含氧气和氮气其中至少之一的气体，在经过所述离子处理的气体或经过所述等离子处理的气体的气体介质下，对所述第二金属层或所述第三金属层进行氧化处理和氮化处理其中至少之一；以及

第二步骤，停止供给包含所述氧气和所述氮气其中至少之一的所述气体，并对包含氩、氙、氦、氖、氪、氧、和氮其中至少之任一元素的气体进行离子处理或等离子处理来照射膜表面。

5.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第一变换处理和所述第二变换处理其中至少之一包括：

第一步骤，对包含氩、氙、氦、氖、和氪其中至少之任一元素的气体进行离子处理或等离子处理来照射膜表面；以及

第二步骤，在将包含氩气、氙气、氦气、氖气、和氪气其中至少之一的气体经过离子处理或等离子处理所得到的气体介质中，供给包含氧气和氮气其中至少之一的气体，并在经过所述离子处理的气体或经过所述等离子处理的气体的气体介质下，对所述第二金属层或所述第三金属层进行氧化处理和氮化处理其中至少之一。

6.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第一变换处理和所述第二变换处理其中至少之一包括：

第一步骤，在将包含氩气、氙气、氦气、氖气、和氪气其中至少之一的气体经过离子处理或等离子处理所得到的气体介质中，供给包含氧气和氮气其中至少之一的气体，在经过所述离子处理的气体或经过所述等离子处理的气体的气体介质下，对所述第二金属层或所述第三金属层进行氧化处理和氮化处理其中至少之一；

第二步骤，在将包含氩气、氙气、氦气、氖气、和氪气其中至少之一的气体经过离子处理或等离子处理所得到的气体介质中，供给包含氧气和氮气其中至少之一的气体，在经过所述离子处理的气体或经过所述等离子处理的气体的气体介质下，对所述第二金属层或所述第三金属层进行氧化处理和氮化处理其中至少之一；以及

第三步骤，停止供给包含所述氧气和所述氮气其中至少之一的所述气体，并对包含氩、氙、氦、氖、和氪其中至少之一元素的气体进行离子处理或等离子处理来照射膜表面。

7.如权利要求1～2中任一项所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第一金属层由包含Cu、Au、Ag、Al其中至少之任一元素的材料所形成，所述第二、第三金属层由包含Al、Si、Mg、Ti、Hf、 Zr、Cr、Mo、Nb、W其中至少之任一元素的材料所形成。

8.如权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述第四金属层由包含Cu、Au、Ag、Al其中至少之任一元素的材料所形成。