[发明专利]用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法和平面度优异的半导体晶片

权利要求书

1.一种用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法，其中每一半 导体晶片都保持在这样的状态，即在通过旋转装置旋转的多个载具中 一个载具的镂空部分内可自由移动并因此在摆线轨迹上移动，其中以 材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工所述半导体晶片，其中每 一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层，其中在加工过程中保持 加工间隙内的主导温度恒定。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过测量所述加工间隙内的 温度，并根据所测量的温度改变冷却剂的流速或温度或流速和温度， 保持所述加工间隙内的主导温度恒定，在每一种情况下，所述冷却剂 流过至少一条在两个加工圆盘中的每一个加工圆盘的冷却曲径。

3.如权利要求1所述的方法，其中通过测量所述加工间隙内的 温度，并根据所测量的温度改变供给所述加工间隙的冷却润滑剂的流 速或温度或流速和温度，保持所述加工间隙内的主导温度恒定。

4.一种用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法，其中每一半 导体晶片都保持在这样的状态，即其在通过旋转装置旋转的多个载具 中一个载具的镂空部分内可自由移动并因此在摆线轨迹上移动，其中 以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工所述半导体晶片，其中 每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层，其中所述载具绕所述 旋转装置的中点且相对于所述两个加工圆盘中的每一个的每单位时 间内的转数值比单个所述载具绕其各自中点的转数值大。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述半导体晶片相对于所述 两个加工圆盘经过的所述轨迹的长度近似相等。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述半导体晶片相对于所述 两个加工圆盘经过的所述轨迹的所述长度之差和所述轨迹的所述长 度的平均值的比值小于20％。

7.一种用于同时双面磨削多个半导体晶片的方法，其中每一半 导体晶片都保持在这样的状态，即其在通过旋转装置旋转的多个载具 中一个载具的镂空部分内可自由移动并因此在摆线轨迹上移动，其中 以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工所述半导体晶片，其中 每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层，其中对于每一径向位 置r，所述两个加工层的理论磨损值之差和所述两个加工层的磨 损值的平均值之间的比值小于1/1000，其中每一所述加工层的理论磨 损值由下式给出：

其中a表示在所述加工圆盘上的所述载具绕所述旋转装置中点的旋 转运动的节圆半径；e表示目前所考虑的参考点和相应载具的中点之 间的距离；l(e)表示以相应载具的中点为中心的具有半径e的圆的在 所述半导体晶片区域内划过的弧度；r表示关于所述加工圆盘的中点 的径向位置；σ_i表示所述载具绕所述加工圆盘中点的旋转的角速度； ω_i表示所述载具绕其各自的中点的固有旋转的角速度， e_min＝max{0；e_ecc＝R)和e_max＝e_ecc+R表示对e的积分上限和下限，其中R 等于所述半导体晶片的半径；e_ecc表示在所述载具内的所述半导体晶 片的偏心率，对于上加工圆盘指数i＝0或对于下加工圆盘指数i＝u表 示角速度σ_i和ω_i是与所述上加工圆盘相关还是与所述下加工圆盘相 关。